单层自电容感应技术将成In-cell触控面板厂布局重点

2013-01-28 15:50:38 来源:大比特半导体器件网 点击:1003

摘要:  单层自电容感应技术将成内嵌式(In-cell)触控面板厂新的布局重点。供应链业者及一线触控IC大厂均已启动专利布局,并投入开发新一代触控IC、液晶显示器(LCD)驱动IC,从而改良In-cell感应层设计结构。

关键字:  单层自电容感应,  In-cell,  触控IC,  驱动IC

单层自电容感应技术将成内嵌式(In-cell)触控面板厂新的布局重点。为提升In-cell触控面板良率、降低成本和杂讯,供应链业者正酝酿以单层自电容取代既有双层互电容感应技术,包括苹果(Apple)、叁星(Samsung)、台/日系面板厂及一线触控IC大厂均已启动专利布局,并投入开发新一代触控IC、液晶显示器(LCD)驱动IC,从而改良In-cell感应层设计结构。

发明元素总经理李祥宇认为,对面板厂而言,自电容In-cell结构的製程复杂性较低,只要有相应的触控IC问世,就能顺利展开量产。

发明元素总经理李祥宇

发明元素总经理李祥宇

李祥宇表示,In-cell触控无疑为行动装置轻薄设计带来更多想像空间,但直接在LCD内同时导入触控感应层(Rx)与驱动层(Tx),将引发大量杂讯,增加面板及触控IC设计难度;所以,该技术仍受限于製程良率低、成本高等问题,延宕市场普及速度。此即驱动触控面板厂及触控IC业者各自联合阵线,积极研发具量产效益的In-cell触控技术。

李祥宇指出,目前业界已有共识,相继捨弃以侦测感应层和驱动层间互电容变化的In-cell设计,转攻在感应层中直接导入Vcom电极线的单层自电容感应方式,一方面让触控面板厂省略隔离感测与驱动层的金属跨桥製作工序、提高製程良率,同时降低20~30%成本;另一方面则解决两层距离太近而引发相互电容干扰问题,改善触控反应速度和灵敏度。

其实,自电容技术已行之有年,但以往仅能收集触控面板的水平或垂直面触控讯号,支援单指或双指触控功能,且容易产生假性触控(鬼点)问题;所以在多点触控功能发展浪潮下,不敌可精确感测到水平和垂直面交叉点的互电容方案而乏人问津。惟进入In-cell时代后,互电容的杂讯问题却更令人头痛,因此业界才又转向发展自电容多点触控,期进一步打造下世代In-cell触控面板。

现阶段,除叁星最积极投入以外,多半In-cell触控面板厂也都有涉猎专利研究;而新思国际(Synaptics)、赛普拉斯(Cypress)、敦泰科技与发明元素等晶片或硅智财(IP)开发商,更是全力部署相关触控IC解决方案。李祥宇认为,整个产业链开始聚焦自电容运作架构,显见该技术在In-cell应用领域极具前瞻性。

不过,以自电容感应层提供触控讯号产生、撷取与驱动功能,初期面板厂须加厚ITO层,并增加水平与垂直面的金属导线数,还要严格要求触控IC效能、讯噪比(SNR)及韧体功能规格,才能解决多点讯号感测与高电阻难题,势将加重材料成本及影响面板透光度。此外,LCD驱动IC也须具备分时处理机制,并扩充缓衝记忆体(Buffer)容量,才能同步处理In-cell触控与LCD讯号。

李祥宇不讳言,单层自电容In-cell触控技术门槛极高,仍须一段很长的时间发展。也因此,混合式On-cell与In-cell贴合方案遂开始获得关注,如索尼将感应层做在上玻璃上方,并于LCD内导入驱动层的混合式In-cell结构,由于两层距离远相互干扰较少,故能减轻触控IC开发难度;目前面板量产良率亦已高达八至九成,成本下滑速度快,已吸引友达、群创全速跟进研发,壮大技术发展声势。

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