飞思卡尔推出六款适用于TD-LTE基站的全新Airfast RF功率解决方案

2013-06-05 13:47:44 来源:半导体器件应用网

摘要:  2013年6月3日,西雅图(2013年国际微波研讨会)讯—高功率射频(RF)功率晶体管领域全球领导者飞思卡尔半导体公司(纽约证券交易所代码:FSL)日前推出六款新的Airfast RF功率解决方案,专为2.3/2.6 GHz频段的TD-LTE基站设计。

关键字:  飞思卡尔基站处理器RF晶体管

高吞吐量和支持大量并发用户的能力使2.3/2.6 GHz成为全球LTE部署的首选频段。去年年底,中国政府宣布将2.3/2.6 GHz频段作为TD-LTE技术部署和应用的指定频段,这显然意味着重要的成长机遇。

最新的飞思卡尔Airfast晶体管以小尺寸提供卓越的带宽和线性效率,专为推动全球TD-LTE网络的快速部署设计。本产品覆盖功率范围广,从50W到200W,为城市蜂窝和宏蜂窝应用提供解决方案。

飞思卡尔高级副总裁兼RF事业部总经理Ritu Favre表示,“飞思卡尔准确地预见到2.3/2.6GHz频段时代的来临和重要意义,并通过旗下的Airfast产品履行高性能的承诺。” “我们新的RF功率解决方案已经上市,帮助加快全球TD-LTE网络的部署。”

飞思卡尔推出的新产品体现了公司致力于提供系统级的基站解决方案,从家庭基站到宏蜂窝基站应用,适用网络规模广泛。除Airfast RF功率解决方案外,飞思卡尔提供了一系列RF GaAs MMIC产品和全面的QorIQ Qonverge平台,这个平台是规模高度可扩展的基站处理器组合的基础,组合建立在通用架构之上,涵盖各种规模的蜂窝基站。 QorIQ Qonverge平台让OEM厂商可以对各种规模的蜂窝应用复用软件。

产品信息

适用于2.6GHz LTE频段的四款Airfast RF晶体管新产品是封装式线性Doherty器件,以紧凑的小尺寸设计提供高效率。四款产品包括:

· AFT26HW050S/GS - 专为2496-2690 MHz频段的城市蜂窝基站应用设计。使用非对称Doherty技术,提供47.4 dBm的峰值功率。 在9W的平均功率下,该器件可提供47.1%的效率和14.2 dB的增益。

· AFT26P100-4WS - 专为2496-2690 MHz频段的高功率城市蜂窝基站应用设计。使用对称Doherty技术,提供51 dBm的峰值功率。在22W的平均功率下。该器件可提供43.9%的效率和15.3 dB的增益。

· AFT26H160-4S4 - 专为2496-2690 MHz频段的中等功率宏蜂窝基站应用设计。使用非对称Doherty技术,提供52.6 dBm的峰值功率。在32W的平均功率下,该器件可提供44.4%的效率和15.7 dB的增益。

· AFT26H200W03S - 专为2496-2690 MHz频段的高功率宏蜂窝基站应用设计。使用非对称Doherty技术,提供54.6 dBm的峰值功率。在45W的平均功率下,该器件提供44.4%的效率和14.0 dB的增益。

适用于2.3 GHz LTE频段的两款Airfast RF晶体管新产品是封装式线性Doherty设备,以紧凑的小尺寸设计提供高效率。两款产品包括:

· AFT23H200-4S2L - 专为2300-2400MHz蜂窝频段的高功率宏蜂窝基站应用设计。使用非对称Doherty技术,提供54.6 dBm的峰值功率。在45W的平均功率下,该器件提供42.8%的效率和15.3 dB的增益。

· AFT23S170-13S,可用作Doherty功率放大器的主晶体管或峰化晶体管。在平均功率为45W的AB类功率放大器中,可提供33.9%的效率和18.8 dB的增益。

关于Airfast RF功率解决方案

Airfast RF功率解决方案可提高效率、峰值功率和信号带宽,同时缓解了成本压力。这些产品提供了卓越的性能和能源效率,被各种飞思卡尔射频技术采用,如LDMOS、GaAs和GaN。

定价和供货

AFT26HW050S/GS、AFT26P100-4WS、AFT23H200-4S2L和AFT23S170-13S现已投入生产。AFT26H200W03S和AFT26H160-4S4计划于2013年6月底前投入生产。请联系您当地的飞思卡尔销售代表获取定价信息和样品。有关飞思卡尔RF功率LDMOS解决方案的更多信息,请访问www.freescale.com/RFpower

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