摘要：  位于美国加州的创业公司 Crossbar 今天发布了一种新型的芯片，能以邮票大小的体积存储 1TB 的数据。这种芯片采用 RRAM 技术(阻变存储器，Resistive Random Access Memory)，可颠覆传统的闪速存储器，数据存储速度是其 20 倍，很有可能成为每年 600 亿美元闪存市场的有力竞争者。

位于美国加州的创业公司 Crossbar 今天发布了一种新型的芯片，能以邮票大小的体积存储 1TB 的数据。这种芯片采用 RRAM 技术(阻变存储器，Resistive Random Access Memory)，可颠覆传统的闪速存储器，数据存储速度是其 20 倍，很有可能成为每年 600 亿美元闪存市场的有力竞争者。

由于闪存是从 iPhone 到平板电脑到数码相机都必备的硬件之一，因此 Crossbar 的前景被投资者看好，获得了来自 Kleiner Perkins Caufield & Byers，Artiman Ventures 和 Northern Light Venture Capital 的 2500 万投资。

和闪存一样，RRAM 也是一种非易失性的存储器，这意味着数据可以永久储存不丢失，哪怕是在电源被切断的情况下。而 Crossbar 在其设计中采用了三层结构的设计——一个非金属底层电极，中间的无定形硅交换介质，还有最上层的金属电极。当电压施加至两电极时，它交换介质内会形成一定数量的电阻细丝，因此其电阻式可变换的。

最新阻变存储器RRAM技术可在单芯片中存下1TB数据

通过 Crossbar 的芯片，未来手机和平板的存储速度、备份、归档等各方面性能都将有所提升。而从企业角度出发，供应商可以在数据中心中搭建 SSD 和云计算设备。RRAM 还可运用于物联网中，甚至智能电表、恒温器这样的智能设备，以及诸如 Google Glass 等可穿戴式设备，因为它的电耗更低，可以延长电池使用寿命。

目前 Crossbar 团队有 20 位成员，正准备自己制造芯片并向市场出售，同时也打算向 system-on-a-chip 的供应商提供技术支持，在同个芯片中将 RRAM 和其它组件联系到一起。Crossbar 申请了 100 项相关专利，其中 30 项已被批获。

IHS 的高级分析师 Michael Yang 说：

我们今天所存储的 90% 的数据都是近两年产生的。实时的数据生成和接收越来越成为现代生活的一部分，并且在未来几年还会快速增长。然而，我们过去一直沿用至今的存储方式，比如二维的 NAND(一种存储技术)，在物理和工程方面都显露出巨大的局限性。而 Crossbar 的 RRAM 恰好迈过了这道门槛，因此很有可能成为未来取代性的存储器解决方案。

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