东芝推出高压MOSFET “πMOS VIII”系列
东京—东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布推出新系列高压MOSFET “πMOS VIII”系列,并推出了该系列的首款产品“TK9J90E”,并计划于2013年8月投入量产。
通过优化芯片设计,可将其单位面积导通电阻(Ron•A)较同类产品[1]降低约24%;而门极电荷(Qg)性能降低约24%,则可将关断时间(toff)改善约28%。
主要规格:
本文由大比特收集整理(www.big-bit.com)
东京—东芝公司(TOKYO:6502)今天宣布推出新系列高压MOSFET “πMOS VIII”系列,并推出了该系列的首款产品“TK9J90E”,并计划于2013年8月投入量产。
通过优化芯片设计,可将其单位面积导通电阻(Ron•A)较同类产品[1]降低约24%;而门极电荷(Qg)性能降低约24%,则可将关断时间(toff)改善约28%。
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