覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS
国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA 两个频段的大功率330W LDMOS,器件型号为PXAC203302FV。世强代理的该器件适用于1880-2025MHz频段,可以用于基站多载波射频功率放大器。PXAC203302FV采用非对称Push-Bull结构,载波功放130W,峰值功放200W,在非对称Doherty功放中可以实现更高的效率。
PXAC203302FV特性:
· 宽带内部输入、输出匹配
· 适用于非对称Doherty设计:Main: 130W, Peak: 200W
· 28V,2025MHz,Doherty结构CW测试性能
· 输出P1dB=250W,效率=55%,Gain=16dB
· 可以承受10:1 VSWR 驻波比失配@28V,250W 输出
· Human Body Model Class 2 (per ANSI/ESDA/JEDEC JS-001)
· 内部集成ESD保护
· 低热阻
· 无铅,符合RoHS标准
表1. PXAC203302FV 射频性能
图1.PXAC203302FV ACPR &Eff
图2.PXAC203302FV Gain &Eff
PXAC203302FV 采用H-37275-4封装,整体尺寸仅为32.6mm×16.6mm,这为缩小板面积提供了便利。得益于英飞凌先进的LDMOS制造工艺,PXAC203302FV具有良好的热性能、可靠性以及坚固耐用性。现PXAC203302FV已可通过世强订购,欢迎拨打世强服务热线电话获得专业快捷的服务!
相关阅读
单管芯输出功率高达220W的功率放大晶体管
100W级超大功率射频LDMOS FET
专为5W基站而生:60W非对称Push-Bull功率放大晶体管
功率分配器和分离器的区别
本文由大比特资讯收集整理(www.big-bit.com)
暂无评论