GreenBridge提供的热性能、效率和尺寸优势都要优于 POE PD 中使用的二极管

加利福尼亚桑尼维尔– 2016 年7月26日 —高性能半导体解决方案全球领先供应商 Fairchild (NASDAQ: FCS) 今天发布了FDMQ8205，这增强了其业界领先的GreenBridge™ 4颗MOSFET有源桥技术。FDMQ8205是其GreenBridge 新一代产品系列中第一款产品，适合于通过POE供电的应用，诸如安全摄像机、无线接入点、LED 照明和其他用电设备 (PD)。通过利用GreenBridge方案提供的业界最佳Rdson性能、极小的尺寸和卓越的热性能，设计人员能够降低设备的工作温度、提高效率并减少解决方案的尺寸。

先进的GreenBridge技术符合IEEE 802.3at标准，比肖特基二极管的功耗小90%。这种卓越的热性能让设计者能够减小甚至不使用散热器，以便简化产品设计，降低BOM成本，缩小电路板尺寸。

Fairchild 智能功率FET 事业部副总裁 Suman Narayan 表示： “对于热的处理一直都是一个重大的设计挑战，对于新一代功率高达甚至超过25.5W的IoT设备更是如此。我们的GreenBridge采用最新的MOSFET技术，帮助工程师消除过多的热，实现关键系统设计目标，包括更高的效率，确保符合标准，降低整体尺寸和降低成本。”

新一代GreenBridge系列产品极低的导通损耗是另一个重要优势，因为POE 系统的输入功率有限，需要最大化功率和电压。GreenBridge系列具有业界最佳的Rdson性能，由于其采用优化的PowerTrench MOSFET 技术，提供更佳的功率转换效率，其导通损耗比最接近的竞争产品也要低 47%。

GreenBridge器件的小尺寸也使得它们非常适合新一代基于POE设备，它们尺寸比以前的基于POE设备更小。在仅为 4.5 mm x 5 mm 的 MLP 封装中，GreenBridge器件包含四个以全桥方式连接的 MOSFET。除了尺寸小，GreenBridge器件还不需要外部驱动，因此节省了更多 PCB 空间。

供货情况

新的FDMQ8205产品目前已量产。阅GreenBridge 博客并访问fairchildsemi.com.cn/greenbridge，了解更详细的产品信息、评估板和样品。

关于Fairchild：

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