为了提高产量，长鑫存储计划再造两座晶圆产？
据报道，长鑫存储技术有限责任公司(CXMT)现已开始生产制造根据 19nm 加工工艺的电子计算机存储器，且该企业至少制订了两条以上的 10nm 级制造的路线地图，方案在将来生产制造多种类型的动态性随机存储器(DRAM)。此外，长鑫存储还计划再修建另外二座晶圆厂来提高收益。
图片来源：AnandTech
长鑫存储以打造出设计方案与生产制造一体化的内存芯片国内生产制造的基地为总体目标，2016年5月由合肥市政府旗下理财平台合肥市产投与细分化存储器国内拔尖企业兆易创新相互注资建立，是安徽省单个项目投资较大的工业生产新项目。现阶段，新项目已完成逐层审查，并得到国家工信部旗下检测中心我国电子信息技术标准化研究院的检验报告。
现阶段长鑫存储的月生产能力约为2万片晶圆，但伴随着该企业订单信息量的提高，生产量也将慢慢提高。预估到 2020年末，其10nm级生产工艺的生产能力为12万片晶圆。
长鑫存储强调，其77%职工全是从业产品研发有关工作的技术工程师。2019年5月，长鑫存储老总兼CEO朱一明曾强调，从技术性来源于视角，合肥长鑫与奇梦达协作，并融合了长鑫自身的技术性。根据与奇梦达协作，将一千多万份相关DRAM的技术性文档(约2.8TB信息)收归自己中。目前已完成了初期累积。
据统计，长鑫存储已经应用其 10G1 技术性(19 nm 加工工艺)来生产制造4 Gb和8 Gb DDR4存储芯片，总体目标在 2020 年第一季度将其产品化并投入市场，该技术将用以在 2020 第三季度生产制造的 LPDDR4X 存储器。
从路线地图看来，长鑫存储还整体规划了对于DDR4、LPDDR4X、DDR5、及其LPDDR5的10G3(17 nm加工工艺)商品。预估CXMT 10G5加工工艺将应用 HKMG 和气隙位线技术，并在长期应用柱型电容器、全能型栅晶体管、及其极紫外光刻(EUVL)加工工艺。
先前该企业计划在2019今年初开始生产制造DDR4运行内存，但新路线地图现已延迟了一年。最终，该企业还计划再建二座DRAM晶圆厂来提高产量，以便提高收益。
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