随着科技的不断创新进步随带带动了半导体的发展，发展的同时半导体电路中也出现了一个崭新的词，这个词就是半导体近禁带宽度，也是文本的主题。那半导体禁带宽度能够解决电路中什么样的问题呢?下边就以这个问题来展开分享分析吧。

关于半导体在内的晶体，在其中的电子既有别于真空中的自由随意电子，也有别于独立原子中的电子。真空中的自由随意电子具备持续的动能能量状态，可取任何大小的能量。原子晶体组成结构不同呢，原子中与晶体中的电子有所不同。原子中的电子是处于一个分离的能级状态。晶体中的电子是处于所谓能带状态，能带是由许多能级组成的，能带与能带见隔离这禁带，电子就分布在能带中的能级上，禁带不存在公有化运动状态的能量范围。价带和导带是半导体最高能量的、最重要的能带。而半导体禁带宽度(又称带隙、能隙)就是指导带底与价带顶间的能量差。

主要用途

禁带中尽管不归属于晶体所有的公有化电子的能级，但是有束缚能级：发生杂质、缺陷等非公有化情况的能级。比如施主能级、受主能级、复合中心能级、陷阱中心能级、激子能级等。顺带也说一句，这种束缚能级不只是能够发生在禁带中，事实上还可以发生在导带或是价带中，因为这种能级原本就不属于表征晶体公有化电子情况的能带之列。

物理意义

带隙是半导体的一个关键特点参数参量，其大小主要决定与半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的结合性质等有关。

半导体价带中的很多电子全是价键上的电子(称之为价电子)，不能够导电性，即并不是自由电子。仅有当价电子越迁到导带(即本征激起)而造成出随意电子和随意空穴后，才可以导电性。空穴事实上也就是价电子越迁到导带之后所留有的价键位置(一个空穴的健身运动就等效于一大群价电子的健身运动)。因而，带隙的尺寸事实上是体现了价电子被拘束高低水平的一个标量，也就是造成本征激起所必须的最少动能。

做为自由电子的电子和空穴，各自处在导带和价带当中;一般，电子多遍布在导带底周边(导带底等同于电子的潜能)，空穴多遍布在价带顶周边(价带顶等同于空穴的潜能)。高过导带底的动能便是电子的机械能，小于价带顶的动能便是空穴的机械能。

影响因素

影响因素半导体带隙因素：温度和掺杂浓度等。这里先介绍半导体禁带宽度与温度的关系，

半导体带隙随溫度变化产生变化，这样情况是半导体器件以其电路的一个弱点(某些应用中这却是一个优点)。半导体的禁带宽度具有负的温度系数。例如，Si 的禁带宽度外推到 0K 时是 1.17eV，到室温时即下降到 1.12eV。禁带宽度的温度系数为正。如果由许多孤立原子结合而成为晶体的时候，一条原子能级就简单地对应于一个能带，那么当温度升高时，晶体体积膨胀，原子间距增大，能带宽度变窄，则禁带宽度将增大。

上述，禁带宽度的温度系数为正。算是一个理想的状态下，如对于常用的Si、Ge等半导体，在有原子结合而成为晶体的时候，价键将要产生所谓杂化(s 态与 p 态混合——sp3 杂化)，结果就是一条原子能级并不是俺么简单地就能够对应到一个能带。因此，当溫度上升时，晶体的原子间隔扩大，可带宽尽管变变窄，但带隙则是减少的——负的温度系数。

当夹杂浓度值很高时，因为杂质能带和可带尾的发生，而有可能造成带隙变窄。

带隙针对半导体器件特性的危害是显而易见的，它决策着元器件的抗压和最高承受温度;针对BJT，当发射区由于高掺杂而发生带隙变窄时，可能造成电流量增益大幅度降低。

Si的质量数比Ge的小，则Si的价电子拘束得过紧，因此 Si的带隙比Ge的要大一些。GaAs的价键还具备极性，对价电子的拘束更紧，因此 GaAs的带隙更大。GaN、SiC等说白了宽禁带半导体的带隙更要大很多，因为其价键的极性更强。Ge、Si、GaAs、GaN和金钢石的带隙在室内温度下各自为0.66eV、1.12eV、1.42eV、3.44eV和5.47eV。

金钢石通常状况下是绝缘体，由于碳(C)的原子序数极小，对价电子的束缚作用十分强，价电子在通常状况下都解决不了价键的拘束，则带隙非常大，在室内温度下不能产生载流子，因此 不导电。但是，在数百度的高溫下也一样展现出半导体的特点，因而可以用来制做操作承受温度达到500℃之上的晶体三极管。

最后：通过学习半导体宽禁带的主要用途，物理意义及其影响因素，大家进一步多方面的掌握半导体宽禁带的存在的价值了，之上便是半导体宽禁带的一些技术性干货知识解读。