TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本。

2021年9月23日，北京讯——德州仪器(TI)(纳斯达克代码TXN)今宣布其氮化镓(GaN)技术和 C2000™ 实时微控制器(MCU)，辅以台达(Delta Electronics)长期耕耘之电力电子核心技术，为数据中心开发设计高效、高功率的企业用服务器电源供应器(PSU)。与使用传统架构的企业服务器电源供应器相比，台达研发的服务器电源供应器将功率密度提高了80%，效率提升1%。能源政策机构Energy Innovation1数据显示，效率每提升1%，相当于每个数据中心节省了1兆瓦(或800户家庭用电)的总所有成本。

台达为全球客户提供电源管理与散热解决方案，同时也是AC-DC、DC-DC与DC-AC电源系统的领导厂商，产品应用范围广泛，包括IT设备、电动车充电与工业电源等。TI在GaN技术以及C2000™ MCU实时控制解决方案上长达十年的投资有目共睹，是台达长期合作的重要伙伴。此次TI采用创新的半导体制造工艺来制造硅基氮化镓和集成电路，助力台达等企业打造差异化应用，更高效地为世界各地的数据中心供电。

“在TI，我们致力于通过半导体技术让电子产品更经济实用，让世界更美好，并且我们的GaN技术为更高效、更小、更可靠的全新解决方案的诞生带来更多可能，” TI高压电源解决方案副总裁Steve Lambouses表示，“除了技术投资外，TI在内部制造方面的投资能够快速普及GaN等新技术，并为台达等客户提供支持。”

“台达长期致力于通过高效能产品和解决方案，与伙伴及客户密切合作，以降低碳足迹。这也促使我们与TI这样的行业领军企业开展长期合作，持续进行新一代技术的开发、应用。GaN技术已突破门坎，从人们口中的未来科技落地，成为当今电源系统设计中切实可行的一个选择。 ” 台达电源与系统事业群副总裁暨总经理Jimmy Yiin说，“通过引入新技术，我们希望为服务器的电源供应器实现超过98%的效率，功率密度超过100瓦/立方英寸。GaN技术将变革现有的电源设计和架构，未来几年电源方案和产品的发展令人期待，台达也将善用新技术，进一步强化我们作为数据中心和其他电源解决方案的领先供应商地位。”

集成的GaN 芯片提供更高的效率、功率密度和系统可靠性

·在高电压、高功率工业应用中，TI的GaN FET集成了快速开关驱动器，以及内部保护和温度感测功能，能够更好地在有限的电路板空间内实现高性能。

·芯片通过4000万小时以上的设备可靠性测试和超过5 GWh的功率转换测试，可提供严谨可靠的数据，并可透过GaN构建更小、更轻、更高效的电源系统。

·TI 的GaN电源解决方案同C2000™实时MCU相结合，可提供复杂的时延敏感处理、精确控制及软件与外设的可扩展性等众多优势。此外，这些MCU可支持不同的电源拓扑设计和高开关频率，更大限度提升电源效率，充分发挥基于GaN的服务器供电单元的潜力。

制造和长期投资战略确保灵活供应

·TI独特的工艺、封装和电路设计技术组合简化了生产，企业能够通过配置不同的选项来扩大硅基氮化镓的产量，以应对电信、工业和汽车企业不断变化的需求。

·TI自有的GaN外延和组装/测试能力，使企业能够按需求灵活解决工具冗余问题。

·随着市场需求的增加，体积更小且需要支持更多数据的系统已经成为趋势，TI的长期投资和灵活的制造战略，将使其成为领先的GaN和实时MCU供应商。

TI和台达将于2021年9月27日至29日的TI Live! Tech Exchange共同举办主题为《GaN技术的影响及其对未来工业设计的意义》的在线技术交流研讨会。届时，TI专家将通过一系列主题演讲、论坛、技术会议和产品演示，讨论电源管理、汽车、实时控制、视觉传感和设计趋势等内容。