集成之巅，易用至极！纳微发布全新GaNSlim™氮化镓功率芯片
加利福尼亚州托伦斯2024年10月14日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率器件行业领导者——纳微半导体（纳斯达克股票代码：NVTS）今日发布全新一代高度集成的氮化镓功率芯片产品——GaNSlim™，其凭借最高级别的集成度和散热性能，可为手机和笔记本电脑充电器、电视电源、固态照明电源等领域，进一步简化和加速芯片尺寸紧凑、高功率密度的芯片应用开发。
作为全新的氮化镓功率芯片，GaNSlim采用纳微专利的DPAK-4L封装，具有高散热性能，通过集成驱动、控制和保护，以及内置的智能化电磁干扰(EMI)控制和无损电流感测功能，使得芯片系统设计变得最为简单、设计进展更快速和芯片产品尺寸更小巧。此外，由于具备低于10µA的超低启动电流和超低待机电流，GaNSlim可与SOT23-6控制器兼容，无需高压启动功能，就能满足待机功耗要求。
集成的无损电流检测功能可以省去外部电流检测电阻，优化了芯片系统的效率和可靠性。过温保护功能确保了芯片系统的鲁棒性，自动睡眠模式提高了轻载和无负载时的效率。智能化开关斜率控制最大程度地提高了效率和芯片功率密度，同时减少了外部元件的数量、系统成本和优化了EMI性能。
GaNSlim采用了DPAK-4L芯片封装，该芯片封装为纳微专利，具有高散热性能、小外观尺寸、低寄生电感。与其他传统的QFN芯片封装相比，工作温度低7°C以上，可支持高达500W的高功率密度设计。芯片产品目标应用市场包括手机和笔记本电脑的充电器、电视电源、固态照明电源等领域。
GaNSlim家族NV614x系列芯片产品，额定DC耐压为700V，导通阻抗（RDS(ON)）从120mΩ到330mΩ，并分别针对隔离型和非隔离型电源拓扑作了相应的芯片性能优化，可提供丰富的芯片产品类型。
与纳微半导体其他氮化镓功率芯片一致，GaNSlim也同样承诺20年有限质保。此外，纳微还准备了多种基于GaNSlim的demo板，QR反激、单极PFC、PFC+QR反激以及电视电源，帮助客户快速的评估GaNSlim的性能，加快芯片产品设计。
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