在电力电子领域不断创新发展的当下，功率半导体器件作为核心元件，持续推动着各行业技术革新。

近期，英飞凌、闻泰科技、圣邦微电子等企业纷纷推出极具竞争力的新品，为不同应用场景带来新的解决方案。

英飞凌：EasyDUAL™ 1B和2B，1200V共发射极IGBT模块

EasyDUAL™ 1B，2B 1200V共发射极模块采用成熟的TRENCHSTOP™ IGBT T7和Emcon 7芯片技术，电流等级涵盖75A、100A、150A、200A至300A。模块采用PressFIT针脚技术和NTC。

EasyDUAL™ 1B和2B共发射极产品系列非常适合矩阵变换器的电机驱动应用。

图/英飞凌

产品特点

高度为12毫米的Easy系列模块

杂散电感极低

采用IGBT T7技术过载能力高达175°C

PressFIT针脚

应用价值

易于设计

提高功率密度

最佳性价比，降低系统成本

产品优势

采用成熟的Easy封装和基于TRENCHSTOP™ IGBT T7技术的共射极结构，尤其适用于矩阵变换器应用。

该产品组合为驱动应用提供了最佳性价比解决方案。

闻泰科技：车规级1200 V SiC MOSFET

闻泰科技近期推出领先行业的D2PAK-7封装车规级1200V SiC MOSFET。

图/闻泰科技

此次推出器件的RDS(on)分别为30、40和60 mΩ，凭借创新工艺技术，闻泰科技半导体业务实现了业界领先的RDS(on)温度稳定性——在25°C至175°C范围内，RDS(on)标称值仅增加38%，显著优于市场同类产品。

这一技术突破不仅保障了汽车性能稳定，还实现了更高的功率输出。与其他供应商相比，搭载该技术的SiC MOSFET器件能在相同RDS(on)下释放更多功率，具备显著成本优势。

圣邦微电子：30V 单N沟道功率MOSFET

圣邦微电子推出 SGMNQ36430，一款 30V 单 N 沟道功率 MOSFET，可应用于CPU 电源传输、DC/DC 转换器、功率负载开关以及笔记本电池管理等领域。

其主要特性包括低导通电阻和低栅极电荷。在 VGS = 10V 时，其导通电阻典型值为 2.9mΩ，最大值为 3.6mΩ，能够有效减少功率损耗。同时，总栅极电荷仅为 22.7nC(VGS = 10V)，有助于降低开关过程中的能量损失。此外，其封装尺寸为 3.3×3.3mm²，较为紧凑，适合在有限的 PCB 空间内使用。产品符合 RoHS 标准且无卤素，满足环保要求。

在性能参数方面，SGMNQ36430 的最大漏源电压为 30V，最大漏极电流在外壳温度 25℃ 时可达 75A，在 100℃ 时为 47A。脉冲漏极电流最高为 160A，适用于短时高电流脉冲场景。其雪崩电流为 38A，雪崩能量为 72.2mJ，能够在一定程度上承受反向恢复过程中的能量冲击。SGMNQ36430 采用符合环保理念的 PDFN-3.3×3.3-8L 绿色封装，工作温度范围为 -55℃ 至 +150℃，存储温度范围相同，适应多种工作环境。

电气特性方面，器件的漏源击穿电压不低于 30V，零栅极电压时漏极电流小于等于 1µA，栅极漏电流在 ±20V 的 VGS 下小于等于 100nA。栅极阈值电压在 1.2V 至 2.2V 之间，确保稳定的开关控制。动态特性上，输入电容为 1028pF，输出电容为 876pF，反向转移电容为 57pF，这些参数决定了其在高频开关应用中的性能表现。