近期，英飞凌、威世科技、华润微三大行业巨头纷纷发力，相继推出创新产品。

英飞凌 750V CoolSiC™ 碳化硅 MOSFET 分立器件，具备业界领先的抗寄生导通能力与成熟的栅极氧化层技术;

威世科技推出的Gen 4.5 650V E 系列功率MOSFET具有业界最低的RDS(ON)*Qg 和RDS(ON)*Co(er) FOMs;

华润微则带来第七代高性能 IGBT 系列，为光伏储能等领域提供提频增效新方案。

英飞凌：业界领先的抗寄生导通能力

英飞凌750V CoolSiC™碳化硅MOSFET分立器件，具备业界领先的抗寄生导通能力与成熟的栅极氧化层技术，能在Totem Pole、ANPC、Vienna 整流器和 FCC 等硬开关拓扑中展现卓越性能。

此外，第二代产品大幅降低输出电容(Coss)，可在Cycloconverter、CLLC、DAB 和 LLC等软开关拓扑中以更高开关频率运行。

1、CoolSiC™ MOSFET 750 V

稳健的750 V技术，经过测试的100%抗雪崩能力

出类拔萃的RDS(on) x Qfr

出色的 RDS(on) x Qoss 及 RDS(on) x QG

低Crss/Ciss 和高VGS(th)的独特组合

英飞凌专有裸片接合技术

提供驱动源引脚

2、关键特性

插件和贴片封装

集成开尔文源极

车规级器件符合AEC-Q101认证标准，工业级器件通过JEDEC认证

高度细分的产品组合：导通电阻范围8mΩ至140mΩ，支持多种封装规格

3、Q-DPAK顶部散热封装

顶部散热(TSC)器件是表面贴装功率器件，焊接在印刷电路板(PCB)上。半导体芯片产生的热量通过封装顶部传导至连接的散热器。TSC功率封装是改善热性能和电气性能的解决方案。这类封装还有助于提高功率密度并降低制造难度。

4、车规级MOSFET

“Tiny Power Box”项目由英飞凌与奥地利硅实验室(Silicon Austria Labs)联合开发，采用全英飞凌CoolSiC™ 解决方案，打造了一款紧凑型单相7千瓦车载充电器。

威世科技：业界最低的RDS(ON)*Qg和RDS(ON)*Co(er) FOMs

威世科技推出新的 Gen 4.5 650 V E 系列功率 MOSFET，为通信、工业和计算应用提供高效率和高功率密度。

图/威世科技

与上一代器件相比，Vishay Siliconix N沟道SiHK050N65E的导通电阻降低了48.2%，而电阻和栅极电荷乘积(功率转换应用)中650V MOSFET的重要优值因数(FOM)降低了65.4%。

SiHK050N65E基于Vishay最新的高能效E系列超结技术，能够在 10 V 下实现典型的低导通电阻为 0.048 Ω，适合超过 6 kW 的高功率应用。

同时，650 V 器件的击穿电压达到额外的 50 V，使其可以在 200 VAC 至 277 VAC 的输入电压范围内稳定工作，并符合开放计算项目的开放机架 V3(ORV3)标准。

此外，MOSFET的超低栅极电荷仅为 78 nC，提供了优越的 FOM 值 3.74 Ω*nC，这对减少导通和开关损耗至关重要，从而进一步节省能源并提升效率。这使得器件能够满足服务器电源中特定的钛效率要求，或者达到 96 % 的峰值效率。

为了在硬开关拓扑(如 PFC 电路和双开关前馈设计)中优化开关性能，日前发布的MOSFET具备较低的有效输出电容值，Co(er) 为 167 pF，Co(tr) 为 1119 pF。器件在电阻乘以 Co(er) 的 FOM 上达到业界新低的 8.0 Ω*pF。

SiHK050N65E 以 PowerPAK®10 x 12 封装形式提供，并配备 Kelvin 连接以降低栅极噪声，同时提高 dv/dt 的抗扰性。

MOSFET 符合 RoHS 标准而且无卤素，经过特别设计以承受雪崩模式下的过压瞬态，100 % 的 UIS 测试保证了其极限值。

华润微：第七代高性能IGBT系列产品

基于12吋功率器件晶圆产线的先进工艺能力，华润微推出第七代(Trench FS Ⅶ)高性能IGBT系列产品，覆盖650/750/1200V电压平台，为光伏逆变器及储能系统、UPS、SVG等应用领域提供了有效的提频增效解决方案。

图/华润微

第七代IGBT采用微沟槽工艺，通过优化元胞设计和寄生电容参数，同时在更薄芯片的基础上调制背面FS层轮廓，有效降低导通压降和开关损耗，显著提升高温特性、可靠性、鲁棒性及并联适配性。

在常温及高温情况下，相较于行业同规格产品，第七代IGBT具有更优的饱和压降，更小的温度变化率。在Ic=120A条件下，第七代IGBT在常/高温下Eon、Eoff、Etotal均为最优，总开关损耗较友商低至少15%。由此，PDBG第七代IGBT在温升改善和效率提升方面展现出明显的性能优势，高度适配光伏、储能应用场景。

正向导通压降Vcesat对比 图/华润微

开关损耗对比 图/华润微

且第七代IGBT芯片搭配高性能第三代FRD，产品Vth、Vcesat、Vf 等参数一致性表现优异，高压开关波形稳定平滑，确保并联应用高可靠性。

产品已在储能及光伏逆变器、UPS等领域完成验证，并实现头部客户批量供货。