近日，中微半导、圣邦微电子、澜芯半导体三家本土企业带来最新发展成果。

中微半导 SC8F096 系列 MCU 以高集成度、强扩展性及平台化兼容等优势，为 PD 快充、智能家电、物联网等场景提供了灵活高效的解决方案;

圣邦微电子 SGM41600S 开关电容充电器凭借I²C 控制和支持旁路模式，成为智能手机和平板电脑领域的可靠核心;

澜芯半导体第三代碳化硅 MOSFET 以优异的性能和成本优势，为汽车、工业、数据中心等场景注入新动能。

中微半导：8位RISC内核MTP芯片SC8F096系列

SC8F096是增强型闪存8位CMOS单片机，为8位RISC产品线中资源配置高配定位。

SC8F096具有8K×16 ROM及336B RAM，GPIO最多30个，支持多外设扩展，1.8V-5.5V宽泛工作电压，内置触摸、运放、比较器、LED、LCD、PD/QC、单线RGB驱动，集成高精度OPA，可应用在一些小信号放大场合，例如大范围的温度检测、无线充的解码等。

图/中微半导

SC8F096在不同的电子设备中有广泛应用潜力，如PD快充、智能家电(LCD面板控制)、消费电子(RGB灯带)、物联网终端等领域。SC8F096同时兼具高抗干扰/抗静电特性，亦适用于市电、电机等复杂环境。

丰富外设集成

存储资源：8K×16 ROM+336B RAM，支持多次编程，固件升级更灵活

显示驱动：10个IO驱动90颗LED(正反推技术)+6×24段LCD(支持1/2、1/3bias)

电源管理：内置PD/QC协议取电模块，支持成品带电升级(电池应用友好)

人机交互：15路触摸按键+单线RGB灯驱动模块

信号处理：12位ADC+高精度OPA(小信号放大)+2路比较器

通信接口：2×UART、1×SPI、1×IIC、5路10位PWM

强抗干扰设计

ESD/EMC优化，适用于市电、电机等噪声环境

封装灵活可选

提供SOP16、QFN20、SSOP24、SSOP28、QFN24、QFN32、LQFP32多封装，兼顾成本与扩展性

平台化、系列化兼容

全系列管脚自上向下兼容(SC8P05x/06x、SC8F05x-09x等)，代码复用率超90%，开发人员掌握一款即可快速迁移至同系产品，降低选型与调试风险

圣邦微电子：单节电池8A开关电容充电器SGM41600S

圣邦微电子推出 SGM41600S，一款 I²C 控制且支持旁路模式的单节 8A 开关电容电池充电器。该器件可应用于智能手机和平板电脑。

SGM41600S 是一款高性能的 8A 开关电容电池充电器，具备 I²C 控制功能，能够在电荷泵电压分压模式或旁路模式下灵活运行。

它支持 3.4V 至 11.5V 的宽输入电压范围，能够为单节锂离子或锂聚合物电池充电，适用于智能适配器或移动电源等多种输入源。

功能框图 图/圣邦微电子

其优化的开关电容架构可实现 50% 占空比，开关电容结构允许输入电流为充电电流的一半，显著减少线路压降、损耗和限制温升;支持 200kHz 至 1.6MHz 的可调开关频率，确保在不同应用场景下的高效运行;同时支持展频和抖屏功能，支持在线频率可调。在 2:1 工作模式下，当电池电压(VBAT)为 4V、电池电流(IBAT)为 6A 时，其效率可达到 97.11%。

该设备采用双通道开关电容拓扑结构，有效减少输入电容需求，提高了整体效率并显著降低输出纹波。该芯片支持单端单电容至三电容设计，极大简化外围设计。

为确保充电过程的安全性和可靠性，SGM41600S 配备了全面的保护功能，包括外部过压保护、输入短路保护、输入过流和欠流保护、电池过压保护、输出短路保护、电池电流过流保护、飞电容短路保护、开关峰值过流保护、芯片过温保护，以及 PMID 至 VOUT 的过压和欠压保护。

此外，设备还内置了 6 通道 12 位(有效)ADC 转换器，可实时监测 VBUS、IBUS、VBAT、IBAT、VOUT 和 TDIE 等关键参数，高达 0.3% 的电池电压和输出电压采样精度，保障充电安全。

SGM41600S 采用符合环保理念的 WLCSP-2.7×2.75-36B 绿色封装，能够在 -40℃ 至 +85℃ 的环境温度范围内稳定工作，适用于各种复杂的应用场景，为用户提供高效、安全且可靠的充电解决方案。

澜芯半导体：第3代SiC MOSFET产品

澜芯半导体推出第三代碳化硅(SiC) MOSFET工艺平台，目前公司已完成1200V电压等级的车规认证。

该产品系列完美适用于对可靠性、功率密度和效率有严格要求的应用，包括车载充电器、DC-DC转换器、DC-AC转换器，以及AI服务器、太阳能逆变器和电动汽车充电设备等应用。

第三代平台首款1200伏40毫欧芯片(型号：LX3C040N120Y)栅极驱动电压15V下的常温导通电阻40mΩ，同规格第三代产品Gross die比第二代产品平台(G2)多出50%，大幅度降低了产品成本，提高了澜芯产品的市场竞争力。

图/澜芯半导体

该平台通过澜芯特有的专利技术及创新的高功率密度工艺，大幅度降低了产品的输入输出电容，实现了国内及国际领先的比导通电阻Ron.sp=2.4 mΩ.cm²(Vg=15V)。

LX3C040N120Y产品额定电压为1200V，额定电流60A，室温阈值电压典型值为2.4V，175°C高温阈值电压1.9V。

芯片具备优良的导通电阻温度特性。在等效的芯片面积及栅极15V驱动下，与第二代技术平台相比，导通损耗降低约50%，能够以更高的效率、更小的封装和更高的可靠性实现应用设计。

在动态开关测试中，澜芯第3代技术展现出卓越的稳定性，动态开关震荡进一步改善，反向恢复电流及电压过冲得到显著优化，确保在恶劣环境下仍能稳定可靠工作。