现场直击|TH521上市发布会全程回顾,解锁国产测量仪器新标杆
前言
2026年4月10日,同惠电子在苏州隆重举办了TH521系列功率器件分析仪新品发布会。活动现场氛围热烈,宾客盈门,吸引了众多来自不同领域的专业人士亲临现场。大家齐聚一堂,共同见证这一国产高端测试设备闪耀登场。

技术革新:破解第三代半导体测试难题
同惠电子董事长赵浩华先生亲自登台,从产品之源、产品之核、产品之用和致胜之钥,全方位解读了TH521系列的创新价值,引发行业高度关注。

赵浩华先生在发布会上指出,随着全球半导体产业向高能效、高频化、高温化演进,以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料已成为新能源、5G通信等领域的核心支撑技术。然而,这类TH521器件的测试面临两大挑战:一是高压大电流场景下对测试设备性能的极致要求,二是传统测试方案效率低、成本高、数据误差风险大。
TH521系列正是为破解这些难题而生。

● 超广工作范围:最大输出电压±3500V、最大输出电流±1800A,电压测量最小分辨率达100nV,电流测量最小分辨率达10fA,可覆盖3300V碳化硅MOSFET等高端器件的严苛测试需求。
● 多参数集成:单机集成IV(电流-电压)、CV(电容-电压)、Qg(栅极电荷)、脚本测试及Datasheet五大核心模块,实现静态稳态特性与动态开关性能的全维度测试。
● 模块化设计:主机与扩展器灵活组合,支持八种测量模块,满足从小信号测试到大电流、高压测试的全方位需求,科研端可精细分析,生产端可高效适配。
TH521系列:关键指标精准提升
TH521系列具备多达数十种参数特性的测试能力,尤其在关键指标的准确度提升上表现卓越。针对静态特性测试中的导通电阻Rds-on、电容电压特性分析中的栅极电阻Rg,以及高频场景下极易失准的反向传输电容Crss,同惠电子通过不断研究测试,从根本上解决了第三代半导体器件特性表征的行业痛点。

● Rds-on(导通电阻):第三代半导体以碳化硅、氮化镓为代表,突破传统硅基器件电压极限,耐压达万伏,支持大电流且导通电阻低。TH521在低至1mΩ的Rds-on测试中,曲线平滑,为器件分析提供可靠数据。
● Rg(栅极电阻):第三代半导体参数测试中,栅极电阻(Rg)影响开关性能,测试精度关乎模型验证。传统仪器信号差致Rg失真,TH521优化四端法架构,消除接触电阻与引线电感干扰,完美实现精准测试。
● Crss(反向传输电容):第三代半导体高频电容测试中,反向传输电容(Crss)因值小且易受寄生干扰,传统方法常测出负值。TH521凭借持续深入的测试分析与研究,能够为器件的性能优化提供至关重要的数据支撑。
智能化升级:简单易用的交互软件

TH521系列所配备的标准软件,基于触屏Windows桌面应用软件架构进行设计开发。该软件具备极高的易用性,无需专业测试专家介入,普通用户即可轻松上手操作。其界面设计遵循清晰的逻辑架构,能够自动生成契合行业标准的TH521器件数据表,从而显著简化TH521器件测试流程,提升测试效率。
创新之选:AI辅助脚本编辑功能


传统仪器大多依赖人工编程,这种方式在效率层面问题突出,开发过程艰难、维护工作繁琐,不仅耗时长久,成本投入也居高不下。TH521系列打破传统模式,创新性地引入AI辅助脚本编辑功能,借助自然语言交互技术达成“所思即所得”的脚本开发效果,为工程师快速迭代TH521器件测试方案提供有力支持。同时,其自动生成Datasheet的特性,保障了数据的一致性,为国产TH521器件实现国产化替代提供了至关重要的支持。
赵浩华先生表示,TH521的诞生并非偶然,而是源于对国内高端测量领域长期被进口设备主导这一现状的深刻洞察与突破决心。其致辞不仅传递了企业的战略格局,更点燃了在场每一位嘉宾对“国产新标杆”的期待之火。
结语
TH521系列功率器件分析仪的面市,不仅仅是一款产品的发布,更是国产高端测量仪器向世界级水平迈进的一次有力宣言。它用精准的数据说话,用扎实的技术立足,用真诚的体验赢得口碑。
展望未来,同惠电子必将以此为新的起点,在半导体测试领域持续深耕细作,书写更多辉煌篇章!
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