功率半导体正被两股力量同时拉扯。

一边，车载SoC、GPU等核心负载的工作电压越来越低，电流与瞬态响应要求越来越高；另一边，汽车主驱、光伏、储能和电网侧的系统电压不断上探。器件既要承受更高电压，也要在更高频率下压低损耗。但SiC或GaN做得更快，并不意味着系统自然更高效。驱动、控制、保护、散热和采样中，任何一环没有跟上，器件性能都难以完全兑现。

8月26日，在罗姆2026 PCIM深圳媒体交流会上，罗姆半导体（上海）有限公司深圳分公司技术中心高级经理苏勇锦将重点落在“功率器件与模拟技术融合”上。

从可扩展的车载SoC电源，到下一代800VDC AI服务器供电，再到2.0kV级SiC和小型化分流电阻器，罗姆此次展示的核心并不是单颗新品，而是如何围绕系统效率，把功率、控制和采样串成一条完整技术链。

01 功率器件更强，为什么还要拼模拟技术？

在电源系统中，功率器件负责能量转换，模拟与控制IC决定器件何时开关、以怎样的速度开关，以及系统如何应对负载突变和异常状态。外围的驱动器、放大器和分流电阻器，则承担驱动、隔离与电流检测等任务。

罗姆的技术布局也沿着这两条线展开：功率侧覆盖EcoSiC™、EcoGaN™和EcoMOS™等器件，模拟侧则包括电源控制IC及Nano Pulse Control™、Nano Cap™等技术。它们共同指向三个目标：降低功耗、减少外围元器件和安装面积，以及改善噪声与热设计。

这意味着，电源系统的竞争单位正从“单颗器件”转向“整条链路”。器件参数仍然重要，但驱动是否匹配、控制是否够快、采样是否准确，同样决定最终效率。尤其在开关频率提高后，寄生参数、EMI和温升会被同步放大。功率器件负责把效率上限推高，模拟与控制技术则要让系统在真实工况中接近这个上限。

02 车载SoC供电，从固定方案走向可扩展

智能座舱、ADAS和自动驾驶功能不断增加，SoC的算力、供电路数和峰值电流也随之提高。不同车型、不同档位SoC的电源需求并不相同，如果每升级一代都重新设计整套电源，验证周期和开发工作量都会被拉长。

罗姆给出的思路，是用Main Configurable PMIC、Sub PMIC和DrMOS构成可扩展汽车PMIC方案，根据SoC的性能和应用场景增减供电模块，让同一套架构覆盖不同算力档位。

以DrMOS BD96340MFF-C为例，其最大输出电流为20A，峰值电流为30A。更重要的是，它并非孤立工作，而是作为外置功率级与主、副PMIC灵活组合，为高性能SoC预留多相扩展空间。

这类架构的关键，是把过去相对固定的供电配置拆成可组合模块。SoC算力变化时，工程师调整的是器件数量与组合方式，而不是推翻整个电源框架。

这种可扩展思路解决的，不只是“供多少电”，还包括方案复用和验证效率。车企与Tier 1可以在已经匹配的器件组合上调整，而不必每次都从零开始。

03 800VDC走进AI服务器，电源不能只盯着前端

AI服务器需要在同一条供电链上处理高电压传输和低电压大电流。随着GPU、CPU功耗上升，每一部分损耗都会变成热量，进一步挤压机柜的供电和散热空间。

在罗姆展示的下一代800VDC方案中，电能经AC-DC和800V级DC-DC进入800V直流母线，再在主板侧转换至中间总线电压，最终降至GPU、CPU等负载需要的低电压。不同环节的电压、频率和功率等级差异很大，需要SiC、GaN和Si器件协同。

提高母线电压有利于降低同等功率下的传输电流，但也把耐压、绝缘、转换效率和热管理问题推到更前面，因此前端器件与负载端控制必须一起优化。与此同时，负载端还需要多相控制器、智能功率级和热插拔控制器处理瞬态供电、启动及冗余切换，存储端也需要专用PMIC稳定电压。因此，“端到端”并不是用一颗芯片包打天下，而是把高压转换、低压大电流供电、保护和存储电源管理放到同一技术路线下考虑。

AI服务器电源真正的难点，也由某一级效率的提升，转向全链路损耗、瞬态响应与可靠性的平衡。

04 2.0kV级SiC，把高压高频推向能源基础设施

SiC的应用边界正从新能源汽车和充电设施延伸至光伏、储能及电网。罗姆此次重点提到的高耐压器件，面向1500V光伏系统、兆瓦级逆变器和SST等场景。

在光伏侧，更高耐压有助于高压系统降低转换损耗并缩小设备体积；在储能侧，提高开关频率可以带动电抗器等无源器件小型化；在电网侧，SST通过高频功率电子单元完成变压与功率控制，对器件耐压、开关损耗和可靠性提出更高要求。

因此，高耐压SiC的价值不只是替换原有开关器件，更在于支撑高电压、高频化拓扑，为磁性元件和整机小型化创造空间。

05 大功率之外，控制与采样同样决定系统上限

控制与采样环节，同样会影响系统效率和可靠性上限。

在FA和机器人应用中，搭载AxlCORE-ODL的Solist-AI™微控制器支持独立AI、设备端学习和并行处理，可在设备侧实时监测异常征兆。它与功率器件、电机驱动器配合，体现的是从能量转换进一步走向控制与状态感知。

另一个例子是分流电阻器。PSR330在6.4mm×6.4mm尺寸下可实现15W功率保证；以资料中的0.1mΩ产品对比，其相较15mm×7.75mm的PSR500体积减小64%，TCR由200±50ppm/℃降至100±50ppm/℃。当电流继续增大，采样器件同样要在尺寸、温升和精度之间重新找平衡。

结语
这次PCIM Asia展会上，罗姆并没有把焦点集中在某一种材料或某一颗“明星芯片”上。可扩展PMIC处理SoC供电复用，SiC、GaN和Si覆盖不同功率转换环节，模拟与控制器件补上驱动、保护和采样。这背后反映出功率半导体行业的一项变化：器件参数仍然重要，但决定产品能否快速落地的，越来越是跨器件协同和应用验证能力。

对工程师而言，真正有价值的也不只是“可选型号更多”，而是能否用已经匹配的器件组合缩短评估周期，并在效率、体积、温升、噪声与可靠性之间更快找到平衡。

未来的竞争，很可能不再是谁拥有单点最强的器件，而是谁能把功率、控制和应用做成一套真正可用的系统解法。