得益Vista效应未来三年内存成长称冠半导体
2006-12-11 11:35:28
来源：大比特资讯
虽然近来DRAM的合约与现货市场呈现两极化的态势，但由于Vista效应影响，美国半导体产业协会（SIA）日前发表的最新报告中显示，未来三年内，DRAM仍是全球半导体产业中，年复合成长率（CAGR）最高的产品线，估计将超过14％。此外，受惠于消费性电子产品对储存容量的提高，未来三年内NAND Flash也可望有11％的年复合成长率表现。
SIA的报告中指出，未来三年内，内存会是所有半导体产品中，成长幅度最大的类别，尤其自今年底至明年初因Vista新操作系统的带动，DRAM将是成长最迅速产品，年复合平均成长率预测将超越14％。
因数字相机与MP3等消费性产品对内建内存容量需求的增加，因此NAND Flash也可望有不错的销售成绩，SIA就预计，未来三年NANDFlash的平均年复合成长率也会高达11％，另外因NAND Flash会开始大量应用在PC等相关市场，因此预计到2009年，配备NAND drive的笔记型计算机将抢占笔记型市场的四分之一。
其实近来在DRAM现货与合约市场端，出现买气迥异的情况，通路市场方面，则因观望气氛过于浓厚，买气缩手，光华市场等通路端还出现DRAM模块大砍价的现象，跌幅一到三成不等，主流的1GB DDR2 667MHz模块的最低报价甚至已经跌到新台币3700元。但反观合约市场，受益于Vista新操作系统的带动，OEM大厂普遍性的还是拿不到足够的DRAM货源。
DRAM业者对于Vista效应，普遍抱持乐观态度。南科便认为，市场仍产业前景看佳，目前看来合约价走势有机会再延续到12月。某市调认为，第四季DRAM合约市场仍供给吃紧，平均售价有机会较第三季上扬，加上各家DRAM产出持续增加，估计第四季全球DRAM品牌厂商销售额仍有7%以上的成长幅度。在单季位元成长率增加幅度上，以三星达26%居首，力晶与茂德也各有20%及15%的幅度，南科则为8%左右。另外，力晶认为主要是基于PC内建内存模块正自1GB走向1.3GB，因此市况至少可预计旺到明年1月没有问题。茂德则解释，合约市场还是热络的原因，是取自于单一PC内建内存模块自512MB走向1GB甚至2GB，而此市场趋势不会中断，延续到明年第一季的前半段应该没问题。
SIA的报告中指出，未来三年内，内存会是所有半导体产品中，成长幅度最大的类别，尤其自今年底至明年初因Vista新操作系统的带动，DRAM将是成长最迅速产品，年复合平均成长率预测将超越14％。
因数字相机与MP3等消费性产品对内建内存容量需求的增加，因此NAND Flash也可望有不错的销售成绩，SIA就预计，未来三年NANDFlash的平均年复合成长率也会高达11％，另外因NAND Flash会开始大量应用在PC等相关市场，因此预计到2009年，配备NAND drive的笔记型计算机将抢占笔记型市场的四分之一。
其实近来在DRAM现货与合约市场端，出现买气迥异的情况，通路市场方面，则因观望气氛过于浓厚，买气缩手，光华市场等通路端还出现DRAM模块大砍价的现象，跌幅一到三成不等，主流的1GB DDR2 667MHz模块的最低报价甚至已经跌到新台币3700元。但反观合约市场，受益于Vista新操作系统的带动，OEM大厂普遍性的还是拿不到足够的DRAM货源。
DRAM业者对于Vista效应，普遍抱持乐观态度。南科便认为，市场仍产业前景看佳，目前看来合约价走势有机会再延续到12月。某市调认为，第四季DRAM合约市场仍供给吃紧，平均售价有机会较第三季上扬，加上各家DRAM产出持续增加，估计第四季全球DRAM品牌厂商销售额仍有7%以上的成长幅度。在单季位元成长率增加幅度上，以三星达26%居首，力晶与茂德也各有20%及15%的幅度，南科则为8%左右。另外，力晶认为主要是基于PC内建内存模块正自1GB走向1.3GB，因此市况至少可预计旺到明年1月没有问题。茂德则解释，合约市场还是热络的原因，是取自于单一PC内建内存模块自512MB走向1GB甚至2GB，而此市场趋势不会中断，延续到明年第一季的前半段应该没问题。
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