使用金字塔反射膜增强发光效率的GaInN发光二极管
2010-12-20 15:35:37
来源：半导体器件应用网
III-V 氮化物 在短波可见光谱和近紫外光谱部分具有非常高的内量子效率。然而，对 III-V 氮化物发光二极管的发光效率的提高还有很大的需要。很多方法也都被采用过，希望提高器件的发光效率，包括芯片外形技术 [1] 、芯片倒装 [2] 、 LED 表面粗化 [3] 、光子晶体 [4] 和增加高反射率的反射膜 [5-8] 。
在提高 LEDs 发光效率时需要面对的一个重要问题就是内部全反射 (TIR) 。被内反射回来的光反复的在半导体 / 外部介质界面处或在平面反射膜中间传播。由于晶面损失和活性区的再吸收，导致发光效率降低。
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