白色LED纷纷达到100lm/W效率及1000lm光通量
2007-07-12 09:20:33
来源：大比特资讯
在《日经电子》与《日经微器件》于2007年6月14～15日联合举办的“LED技术研讨会2007”上，各公司就100lm/W发光效率及光通量超过1000lm的高功率白色LED发表了演讲。
飞利浦Lumileds将使亮度达到100Mcd/m2
美国飞利浦Lumileds照明公司宣布试制了可通过2.3A驱动电流，实现1500lm光通量的白色LED。该白色LED亮度达到100Mcd/m2，超过HID灯。估计到2009年，4片型和2片型白色LED将分别获得与HID灯和卤素灯相同的光通量。
此外，该公司还就今后用于白色、蓝色、绿色LED的技术及未来展望发表了演讲。LED在电流加大时会出现发光效率下降的“Droop”现象，存在提高功率而导致发光效率下降的问题。该公司开发出了能够通过改变LED层结构遏制Droop现象、使发光效率提高15～20％的技术，并且通过去除LED衬底的蓝宝石底板，使白色LED的发光效-率提高50％，使蓝色和绿色LED的发光效率提高30％。
关于白色LED的发光效率提高以及低价格化，该公司预测，不久的将来发光效率将翻倍，从现在的75lm/W增至150lm/W，驱动电流将增至约3倍，从700mA上升到2A。通过生产性能的最优化，价格将降低到目前的1/2。
欧司朗已开始供应超过1000lm的LED
德国欧司朗光电半导体（Osram Opto Semiconductors）介绍了能够从单封装白色LED获得1100lm光通量的白色LED产品“OSTAR Lighting”。该产品是由6个LED芯片串联而成。封装时为了提高散热性能，采用了陶瓷底板。该公司目前使用名为“ThinGaN”的芯片技术制造白色LED。ThinGaN是把在蓝宝石底板上生长的InGaN与Ge等载流子材料接合，通过激光照射将蓝宝石底板剥离制备而成。
西铁城电子将于明年供应超过1000lm的白色LED
西铁城电子宣布试制了发光效率为70lm/W左右1000lm光通量的试制品。该试制品的封装结构与以往产品有所不同。目前正处在为投产进行可靠性验证的阶段。
关于发光效率，该公司营业部营销第二课主任天野治树对进一步提高效率表达出了强烈愿望：“实现200lm/W的光效率已经近在眼前”。
飞利浦Lumileds将使亮度达到100Mcd/m2
美国飞利浦Lumileds照明公司宣布试制了可通过2.3A驱动电流，实现1500lm光通量的白色LED。该白色LED亮度达到100Mcd/m2，超过HID灯。估计到2009年，4片型和2片型白色LED将分别获得与HID灯和卤素灯相同的光通量。
此外，该公司还就今后用于白色、蓝色、绿色LED的技术及未来展望发表了演讲。LED在电流加大时会出现发光效率下降的“Droop”现象，存在提高功率而导致发光效率下降的问题。该公司开发出了能够通过改变LED层结构遏制Droop现象、使发光效率提高15～20％的技术，并且通过去除LED衬底的蓝宝石底板，使白色LED的发光效-率提高50％，使蓝色和绿色LED的发光效率提高30％。
关于白色LED的发光效率提高以及低价格化，该公司预测，不久的将来发光效率将翻倍，从现在的75lm/W增至150lm/W，驱动电流将增至约3倍，从700mA上升到2A。通过生产性能的最优化，价格将降低到目前的1/2。
欧司朗已开始供应超过1000lm的LED
德国欧司朗光电半导体（Osram Opto Semiconductors）介绍了能够从单封装白色LED获得1100lm光通量的白色LED产品“OSTAR Lighting”。该产品是由6个LED芯片串联而成。封装时为了提高散热性能，采用了陶瓷底板。该公司目前使用名为“ThinGaN”的芯片技术制造白色LED。ThinGaN是把在蓝宝石底板上生长的InGaN与Ge等载流子材料接合，通过激光照射将蓝宝石底板剥离制备而成。
西铁城电子将于明年供应超过1000lm的白色LED
西铁城电子宣布试制了发光效率为70lm/W左右1000lm光通量的试制品。该试制品的封装结构与以往产品有所不同。目前正处在为投产进行可靠性验证的阶段。
关于发光效率，该公司营业部营销第二课主任天野治树对进一步提高效率表达出了强烈愿望：“实现200lm/W的光效率已经近在眼前”。
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