世界半导体巨头将在大容量闪存展开激烈竞争
2006-09-15 10:32:35
来源：半导体器件应用网
东京9月13日专电(记者 钟沈军)随着半导体电路工艺的不断提高，芯片尺寸越来越小。最近，韩国三星电子采用布线宽度为40nm的微细加工技术，成功地开发出了存储容量为32G的产品。此举将引发业界在大容量闪存开发上的激烈竞争。
据《日本经济新闻》报道，由于数码相机和便携音乐播放器专用的闪存需求急剧扩大，韩国三星电子最近开发出了存储容量为32G的全球最大NAND型闪存，并将在2008年开始批量生产这种新型闪存。
同时，排名全球第二的东芝-美国晟碟(SanDisk)联盟也准备投产这种大容量闪存，东芝与三星间的竞争将进一步加剧。
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