三大DRAM厂商疯狂扩产 致内存价崩溃
2007-05-23 09:18:46
来源：半导体器件应用网
据业界消息称，由于美光科技公司(Micron Technology， Inc.)、尔必达(ELPIDA MEMORY) 和海力士半导体（Hynix Semiconductor Inc.)等三家内存厂商提高了DRAM的产量，因此DRAM内存价格近期出现大幅下跌。
据悉，这三家厂商纷纷调整调整产能，将之前生产其它类型产品的生产线全部转而生产DRAM内存。据预测，07年第二季度受上述三家厂商产能调节影响，全球DRAM内存产量将增长20-30%。
美光科技由于预测07年受手机市场带动，CIS（CMOS图像传感器）需求会有大规模上升，因此调整很大部分产能用于生产CIS，但实际上市场需求并未达到预期。
尔必达之前预测2007年消费电子市场将会出现迅猛增长，但由于几个月来消费电子类产品一直并没有大起色，因此也造成了尔必达为消费电子类产品制造的DRAM内存库存积压严重，故尔必达重新调整了产能，转而生产标准DRAM产品。
由于在NAND闪存制造工艺上比三星和东芝落后，因此海力士半导体决定增大DRAM内存产量。在数月后NAND闪存制造工艺赶上竞争对手后，公司将重新调整产能生产NAND闪存。
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