新帝4月量产16Gb产品 与产业龙头三星差距拉近

   c新帝将在4月量产16Gb容量的3-Bit-Per-Cell产品，预计在同一世代制程下，采用3-Bit-Per-Cell技术可较MLC(Multi-Level Cell)技术增加20%产出；此外，三星电子(Samsung Electronics)2008年同样会有x3产出品问世，而这也代表整个NAND Flash产业世代交替下，x3世代的接班态势已正式浮出台面。

    与过去SLC世代转换到MLC世代的历史相同，这次NAND Flash产业技术再度由MLC世代晋级到x3世代，且确定再度由新帝和东芝(Toshiba)阵营抢得头香，领先三星、海力士(Hynix)、美光(Micron)和英特尔(Intel)阵营推出x3高容量NAND Flash产品。

    新帝指出，采用56奈米制程16Gb容量3-Bit-Per-Cell产品，将会于4月正式量产，3-Bit-Per-Cell技术已发展2年的时间，是使用新帝自己的专利，与策略联盟伙伴东芝共同生产研发，是MLC下一世代的产品。目前东芝虽然未公布量产x3技术NAND Flash的时间点，但预计也将于近期推出。

    NAND Flash技术最早以SLC结构为主，进入MLC技术世代后，MLC技术的成本整整较SLC成本节省50%，这样的成本优势结构，也让MLC快速取代SLC成为NAND Flash技术的主流；目前整个NAND Flash产业中，MLC产出比重占了80%，SLC比重只剩下20%。

    新帝表示，MLC技术进入x3技术世代后，在同一个制程下，采用x3技术的每片NAND Flash晶圆的产出可较MLC技术成长20%。根据内存业者透露，未来由x3技术转换到x4(4-Bit-Per-Cell)技术，成本下降的空间会逐渐被压缩，显示NAND Flash产业技术的开发难度越来越高。

    这次新帝和东芝阵营在x3世代上，再度抢得头香，领先其它NAND Flash大厂，将x3技术导入量产，恐再度掀起NAND Flash降价战，有机会再度拉近与龙头厂三星之间的距离；由于英特尔和美光阵营，在x3或是x4技术的时程表还未出炉，因此新帝阵营尽快量产x3产品，也可防堵其势力范围的扩大。

    内存业者表示，目前SLC芯片只用在少数像是固态硬盘(SSD)或是高专业级的高速快闪记忆卡、随身碟等，需要较高效能的要求，一般的快闪记忆卡、随身碟、MP3播放器等，以MLC芯片都可支应，未来x3技术普及后，消费性电子的价格将可进一步下滑。