东芝将砸26亿美元建NAND厂 挑战三星电子
2006-09-14 09:43:53
来源：半导体器件应用网
根据彭博社报导，日本一线芯片厂商东芝Toshiba Corp.(JP-6502)将投资3000亿日圆 (折合26亿美元)兴建一座闪存芯片厂，以挑战业内龙头南韩三星电子SamsungElectronics Co.。
东芝将在今明两个年度内在日本三重县四日市(Yokkaichi)投资兴建闪存芯片厂，新厂已动工，预定在2007年10月投产，将晶圆产能提高至6.75万片。
东芝社长Atsutoshi Nishida提高NAND闪存芯片产能，期弥补价格下跌，满足市场需求，以及缩小与劲敌三星电子的差距。
东芝曾在5月份表示，拟于2009年3月以前投资旗下半导体分支1.02兆日圆，看好数字相机和数字随身听等产品需求将持续炒热闪存销售。
根据市场调查业者ISuppli Corp.发布，截至3月底的当季，东芝占全球NAND市场版图由先前一季的19%扩大至25%，三星的市场占有率由51%下滑至49%。
东芝与美商SanDisk Corp.将均享四日厂产能，两家公司合资成立的Flash Partners Ltd.在四日市生产NAND闪存，由东芝持股51%，其余股权由SanDisk持有。
SanDisk本周稍早表示，将加码3.5亿美元，至23亿美元，投资四日厂，以配合东芝的投资支出计划。
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