高通助阵，台积电45奈米明年上路
2006-09-16 10:37:51
来源：半导体器件应用网
手机芯片大厂高通（Qualcomm）表示，已经开始着手45奈米先进制程研发，虽然仍有许多材料上或制程上的问题有待解决，不过整个进展速度仍十分顺利，预计明年下旬就可开始与台积电等晶圆代工伙伴进入试产阶段，十分符合台积电宣称明年下半年走入45奈米世代的预估。相较于台积电对45奈米世代的积极攻城略地，联电外传亦与德仪合作，明年底前就会跨足45奈米市场。
虽然奈米制程的资本支出需求愈来愈大，不过随着193奈米波长的浸润式显影制程（immersion lithography）设备已可支持至32奈米世代，在关键设备不需大幅替换情况下，晶圆代工厂在65奈米制程开始进入接单量产阶段后，也延续摩尔定律（Moore's Law）原则，开始着手布局下一代45奈米制程。
以台积电为例，目前45奈米制程的浸润式显影技术已有所突破，根据公司方面日前法说会中提供的资料来看，台积电试产的SRAM最佳缺陷密度为零，代表45奈米已是可行之路。而台积电90奈米及65奈米大客户高通，表示已与台积电等晶圆代工厂合作，开始进行45奈米的研发，明年下旬就可试产，显示台积电应可在客户的力挺下，明年顺利走入45奈米世代。
至于今年亦投入新台币上百亿元资金扩充高阶奈米制程浸润式显影设备的联电，虽然还没公布45奈米技术蓝图及生产时间表，但是外传联电已开始与大客户之一的德仪合作，为明年底或后年初，以45奈米制程进行试产进行布局。
全球第三大晶圆代工厂特许半导体（Chartered），因与IBM、三星、英飞凌等共同合作研发45奈米技术有成，已经快速拉近与台积电、联电间的技术落差时间，由于在IBM及大客户之一的超微力挺下，65奈米已有不错成绩，明年底开始投入45奈米试产应该不会是太难的事。
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