台湾DRAM业者华邦电总经理徐英士近日于法说会时表示，华邦电于2006年完成初步扩产计画，12寸厂月产能已达2.4万片，2007年华邦电并无大规模扩产计画，除将提升生产效率及良率外，还将持续进行制程技术推进，预计2007年第二季开始转进80奈米制程正式投产，市场分析师指出，对于沟槽式阵营而言，可说暂时先行扳回颜面，不让堆叠式阵营动辄拿70奈米制程来暗批沟槽式阵营前途茫茫。 

      徐英士指出，华邦电2006年资本支出约新台币217亿元，主要用于中科12寸厂扩产部份，至2006年底月产能已达2.4万片满载规模，2007年无大规模扩产计画，华邦电初步规划，2007年资本支出降至84亿元。徐英士进一步表示，华邦电2007年将积极提升生产效率及良率，此外制程技术也将不断推进，以便能增加产出贡献。 

      相较于华邦电预计在2007年第二季便可开始导入80奈米制程量产，台系DRAM厂中的茂德、力晶及华亚科等厂，分别将于2007年第 
一季底，第二季中下旬以及第四季底左右分别导入70奈米制程，也正因为过去市场动辄将堆叠式阵营成员与沟槽式阵营相比较，而由于同属沟槽式阵营的华亚科要到2007年第四季才开始进入70奈米制程试产，为了让沟槽式阵营能扳回颜面，华邦电的80奈米制程推出可说适时让沟槽式阵营不会一直处于挨打地位。 

      至于华邦电为何先导入80奈米制程而非直接跳到70奈米制程，奇梦达（Qimonda）亚太区总裁黄振潮日前便已表示，对于80奈米制程来说，华邦电仅需采用与90奈米制程相同机器设备，无须再额外增加新的机器设备，但产出量上却可足足增加20％左右，也因此对于现阶段华邦电而言是最佳的选择方案。 

      华邦电上周也公布2006年第四季自结财务报告，营收为新台币111.6亿元，税后盈余为 17.27亿元，每股盈余 0.45元，累计2006年全年总营收为344.88亿元，较2005年增加24％，税后盈余为23.64亿 元，每股盈余0.62元，较前1年每股亏损0.35元情况已是大幅改善，并正式转亏为盈。 

      华邦电董事会亦初步决议，2006年度盈余分配暂定每股将派发0.3元现金股息。在记忆体产品方面，华邦电指出12寸厂产能及良率于2006年第四季达成预期目标，制程技术顺利推进至90奈米制程，利基型动态随机存取记忆体(Specialty DRAM)产能陆续导入0.11微米制程，生产效率大为提升，后段封测成本降低，致营业毛利增加；标准型记忆体受惠于市场价格不错，以及在出货量增加之带动下，创造记忆体产品营收成长佳绩。 

      在逻辑产品方面，华邦电指出，2006年第四季消费性逻辑产品之语音IC (Speech IC)表现淡季不淡；电脑逻辑产品则由于受到笔记型电脑（NB）市场价格竞争压力影响，并在市场CPU缺货影响主机板相关输出入控制器 (Motherboard related I/O)需求情形下，致使逻辑产品整体表现较前1季呈现下滑。 

      展望2007年，华邦电指出，第一季因DRAM跌价压力，以及消费性产品进入传统淡季影响，预计整体表现将较上1季微幅下滑，但华邦认为，在半导体产业景气成长仍可期待状况下，对2007年发展抱持乐观看法。