IR携手两家半导体公司，签署DirectFET封装技术授权
2007-02-12 12:23:16
来源：半导体器件应用网
国际整流器公司(International Rectifier，简称IR)近日与两家总部分别位于不同地区的半导体供应商达成协议，授权他们使用IR的DirectFET封装技术。
DirectFET MOSFET封装技术基于突破性的双面冷却技术，在2002年推出后迅速成为了先进计算、消费及通信应用解决安装散热受限问题的首选解决方案。自从该技术推出后，DirectFET便成为IR公司历史上增长速度最快的产品。由于DirecFET封装能改善电流密度和性能，IR预期随着有关授权协议的达成，这项封装技术将成为多元化应用的行业标准。
IR公司的首席执行官Alex Lidow先生表示：“我们不断开发节省能源的技术。IR的DirectFET封装技术有助于降低能量损失并减少设计的占板面积，还能够推动计算技术的发展。通过这些授权协议，我们将可以扩大IR DirectFET创新封装技术在节能方面的影响力。”
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