台积电遭UniRAM指控 判赔3，050万美元
2007-09-29 09:41:36
来源：半导体器件应用网
台积电证实，旧金山联邦地方法院确实认定台积电对UniRAM公司所指控不当使用营业秘密的案件必须支付3，050万美元做为赔偿，但据台积电了解，此案仅是初判，未来仍可进行审判后的救济，并得就此案继续上诉。台积电法务长暨副总杜东佑表示，未来将采取一切可能的行动保护自身权益。
此外，台积电表示，过去一向秉持最高标准来尊重知识产权，因此对此案陪审团初判的裁决并不认同。外界推测，虽然赔偿金相当于约新台币10亿元，对于现金充裕的台积电而言如「九牛一毛」，但台积电将据理力争，不该付的赔偿金绝不妥协。至于初判赔偿金，未来是否将纳入财报中认列，台积电则未予置评。
UniRAM成立于1998年，主要从事高效能内存IC的设计研发，并将其成功开发的硅智财IP对外进行技术授权，以收取权利金，营运模式类似目前内存DDR、DDR2技术授权知名业者Rambus，而目前Rambus也与美光(Micron)、三星电子(SamsungElectronics)、海力士(Hynix)及岛内DRAM业者南亚科亦进行诉讼之中。
2004年UniRAM也曾与内存IP授权业者Mosys发生过专利诉讼，但后来双方达成和解，Mosys向UniRAM偿付240万美元。而这次UniRAM所控告的台积电，近年来积极投入系统单芯片(SoC)领域并布局嵌入式内存产品代工，过去也曾与Mosys也过合作关系。尽管UniRAM及台积电对于此案究竟事涉哪些相关的「营业秘密」皆三缄其口，但外界预料，台积电将诉诸各种行动，力争权益到底，因此距离此案终判，还需一段时日观察。
目前台积电布局嵌入式内存市场愈发积极，其中eDRAM工艺技术已开发90、65纳米工艺2个世代，并积极着手迈入下一世代55纳米工艺技术，半导体业者认为，随着台积电对于嵌入式闪存、嵌入式DRAM的着墨愈多，内存相关IP的合作伙伴，或是相关领域的业者主动「找上门」的机会也将愈多。
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