东芝新款MCP存储器搭载GB级NAND闪存 面向手机应用
2006-09-19 10:30:30
来源：半导体器件应用网
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日本东芝公司将从8月份开始量产最大搭载2GB NAND闪存的MCP存储器，作为用于手机上MCP存储器的大容量产品系列。该MCP存储器是在面向传统型手机的MCP存储器(LP SDRAM＋NAND闪存或PSRAM＋NOR闪存等)中搭载支持SD卡接口的控制器和GB级NAND闪存(8GB多层NAND闪存)。
据介绍，该MCP存储器可以在搭载百万兆级数码相机功能及音乐播放器功能的手机中保存大容量数据(如果是音乐数据的话，可以保存大约35小时的比特率为128kbps的乐曲)；1个封装内搭载3种存储器接口(例如，LP SDRAM用接口、标准NAND用接口以及SD存储卡接口)；还可以从本公司提供的丰富存储器产品群中自由选择MCP结构。
这种新产品可以根据用户的需求，将作为工作存储器的LP SDRAM、作为保存程序用存储器的NAND闪存以及作为保存用户数据用存储器的GB级NAND闪存进行各种组合使用。而且计划今后还要开发和PSRAM及NOR闪存的组合。
近年来，手机中不断搭载高像素数码相机功能、音乐播放器功能等，需要使用大容量存储媒介来保存照片、音乐数据。而且，高速处理图片、录像及游戏等大容量数据的要求越来越强烈，但另一方面必须要将这些功能安装在有限的空间内，因此对于多层MCP产品的需求越来越高。为了满足这些市场需求，东芝公司在传统的MCP存储器内搭载大容量NAND闪存和SD卡控制器，并且将这些存储器零部件存放在1个封装内，从而实现了大容量、节省空间的MCP产品，并投放市场。
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