美光1Gb DDR3内存芯片问世，基于78nm制造即将量产
2006-10-19 09:49:14
来源：半导体器件应用网
内存性能日益成为电脑游戏、服务器、高性能计算和高清电视(HDTV)等广泛应用的关键。这些应用要处理需要快速、高效访问的大量数据。为提高这些应用的内存性能，美光科技(Micron Technology)近日推出了1Gb双倍数据传输率(DDR)3内存，为这些关键应用提供速度更块、功耗更低、存储密度更大的内存。
美光科技公司的DDR3产品在400-800MHz下支持800MTps到1，600MTps，是DDR2速度的两倍。在DDR3的最高速度，每秒可传输大约100，000页文档。DDR3供电电压从1.8V降到1.5V，功耗降低高达30%；该内存是用美光的78nm制程制造的。DDR3的上述优点有助于提高众多计算装置的性能。
市场调研机构IDC公司资深分析师Shane Rau说：“2007年初将出现一些吞噬内存的计算和消费级应用，如微软公司的Vista操作系统。DDR3初期将有助于服务器、笔记本电脑和台式机市场，然后将用于图像和高清电视等消费级应用。”
美光科技公司的1Gb DDR3元件评估样品将提供给经过挑选的客户，预计明年年初开始生产。美光科技公司的1Gb DDR3元件有多种输出配置(x4、x8和x16)，全面相容最新JEDEC DDR3规范。这些元件支持从512兆字节(MB)到4千兆字节(GB)的模组密度和FBDIMM、UDIMM、SODIMM和RDIMM等多种模组形态。2Gb DDR3内存预计明年年初由美光科技公司推出，有助于支持需要更高内存密度的应用。
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