TD-SCDMA单芯射频芯片诞生 已由中芯国际流片
2006-10-26 09:54:45
来源：半导体器件应用网
一直被视为阻碍中国3G产业发展的“短板”和瓶颈的射频芯片，日前实现了重大突破。
上海锐迪科微电子（RDA）公司近日宣布，由其独立开发并拥有自主知识产权的第三代移动通信TD-SCDMA终端射频芯片，已经完成工程样片流片和基带厂商测试。这意味着在3G牌照发放之前，我国有希望诞生拥有自主知识产权芯片的新一代手机。业内人士甚至乐观地认为，国内手机制造商从此可以结束核心芯片依赖于国外公司的局面。
对TD-SCDMA终端产品来说，射频芯片与基带芯片是无线通信终端的两大核心技术。据了解，这款芯片采用了世界上最先进的数字和模拟混合信号CMOS半导体技术，是全球首颗基于CMOS技术的单芯片TD-SCDMA射频芯片，也是被业界认为目前技术水平最高、最具市场前景的一款。其射频收发器方案可在2010-2025MHz频段和1880-1920MHz频段之间自由切换，形成TD和GSM的双模形式。
消息称，新研制的射频芯片目前已在上海中芯国际和上海展讯通信公司分别完成了工程样片流片和基带厂商测试。上海锐迪科微电子公司表示，目前应用该款芯片的手机制造和调试进展的都很顺利，预计将于近期内实现量产。
除射频芯片外，上海锐迪科公司还研发设计成功了TD-SCDMA功率放大器和射频开关，成为业内唯一能够提供完整的TD-SCDMA射频前端解决方案的厂商。同时，上海锐迪科公司与包括大唐移动、展讯、凯明、T3G等国内TD-SCDMA基带芯片设计公司都保持了良好的合作互动关系。而且，该公司与TD-SCDMA系统厂商也在积极接触，主要包括浙江华立、中兴通讯等。
本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；
暂无评论