“考虑取代齐纳二极管” TDK开发出便携设备用变阻器
2007-04-17 09:45:02
来源：半导体器件应用网
TDK成功开发出可取代手机和便携音乐播放器上配备的ESD保护元件——齐纳二极管的多层变阻器，并已开始量产供货。变阻器保护功能的启动电压由现有产品的8V降至6.8V。“性能方面不逊色于齐纳二极管。将利用在成本和尺寸上占有优势的特点，扩大变阻器市场”（TDK）。这是该公司首次推出变阻器电压低于8V的多层变阻器。
为防止静电影响造成IC等出现故障，电子设备一般都配置变阻器或齐纳二极管等ESD保护元件。最近这种ESD保护元件不仅在故障防止方面，还在设备的误动作防止方面受到重视。但是若静电的吸收能力低，即使可防止IC故障，有时也不能减少误动作的发生。在部件成本和封装面积方面变阻器占优势，而在静电吸收能力方面目前则一直是齐纳二极管的性能更好。因此目前市场有超过一半以上特别需要减少误动作的便携设备，都采用齐纳二极管。面向日本国内的手机高机能机型中配置的ESD保护元件，每部达20～25个。
为提高变阻器的静电吸收能力，TDK一直致力于开发降低变阻器电压的机型。此次开始量产的“AVRM1005C6R8NT101N”的变阻器电压为6.8V，保护功能的启动电压与同为6.8V的齐纳二极管普通型号相比，耐突波电压的控制效果高20%。齐纳二极管中也有提高控制耐突波电压效果的型号，但“控制效果同水平的型号相比，在成本方面我们对变阻器有绝对的自信”（TDK）。
开始量产的AVRM1005C6R8NT101N的封装尺寸为1.0mm×0.5mm，即1005产品。封装尺寸为0.6mm×0.3mm的0603产品也在研发中，并也将于2007年上半年上市。由于齐纳二极管的1005和0603产品型号有限，预计TDK将以新开发品在封装面积等方面的优势来吸引顾客。
变阻器是以氧化锌为主要成分的陶瓷通过层积构造而成。TDK通过优化材料组成和制造工艺，推出了达到实用水平的、电压低于8V的型号。如果按现有的材料组成和制造，使层积构造变薄也能降低变阻器电压。但是问题在于这样一来漏泄电流和耗电量都将增大。TDK今后将开发使变阻器电压降至5.6V等甚至更低电压的型号。
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