卡西欧展出支持300mm晶圆的WLP量产技术 增加去除low-k膜工序
2007-01-22 09:37:59
来源：半导体器件应用网
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支持300mm晶圆的WLP制造工艺
“第8届半导体封装技术展”于2007年1月7日在日本东京有明国际会展中心(东京Big Sight)开幕，卡西欧计算机在展会上展出了支持300mm晶圆的晶圆级封装（WLP）量产技术。已于2006年夏季开始量产。
在采用300mm晶圆制造的LSI中，布线部分的层间绝缘膜多采用低介电（low-k）膜。由于低介电膜一旦露出WLP端面就会吸取湿气，影响可靠性，因此新引进了去掉部分低介电膜的工序。具体来说，就是在采用WLP技术对晶圆进行加工之前，用激光除去WLP端面的低介电膜。
为了展示低介电膜去除工艺的效果，卡西欧还公布了采用PCT（Pressure Cooker Test，压力锅实验）进行加速试验的结果。在省略了低介电膜去除工序条件下进行的晶圆级封装试验品，22个中有2个出现低介电膜剥落现象。而在追加了去除端面部分低介电膜工序后进行晶圆级封装时，22个试验品在外观上都没有出现异常。
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