FSI利用MAGELLAN浸泡式清洗制程设备 推出新的氮化硅选择性蚀刻制程
2006-11-27 11:45:15
来源：半导体器件应用网
FSI International为全球性半导体制程设备、技术及支持服务供货商，日前推出新的选择性氮化蚀刻制程，利用MAGELLAN浸泡式清洗制程设备抑制氧化和硅晶侵蚀，避免蚀刻过程产生太多微粒。这些应用是使用客户的晶圆在FSI实验室所开发与验证完成，此为该公司45nm先进技术计划的一部分，而这些应用对现有制程也很有帮助。
在半导体制造商持续将新元素和材料用于先进组件生产的同时，也增加氮化硅等标准材料的使用。为克服应变硅信道（strained channel）工程等的整合挑战，半导体制造商已开始将新的氮化层加入半导体制程，然而组件制造过程却常须选择性移除晶圆表面的某些氮化薄膜。半导体制造商在蚀刻氮化薄膜时，常需在提高选择性和降低微粒数量之间做选择。FSI的新制程正可提供制造商两全其美的解决方案：能拥有很高的蚀刻选择性，又能保持很小的微粒数量。
MAGELLAN制程设备，是一种8吋12吋晶圆混用型机台（bridge tool），其所提供的最佳制程效能和组态配置能力，可用来克服先进IC开发与制造的各种挑战。FSI独家拥有的表面张力梯度（STG）洗濯、干燥、SymFlow蚀刻和MegaLens超音波微粒移除技术，为这套设备带来领先业界的功能。此设备不会在任何表面留下水痕，还提供精确均匀的薄膜蚀刻能力、超高的微粒去除效率和优异的瑕疵控制能力。MAGELLAN制程设备订价从200到400万美元，实际价格视采购数量和最终配备而定。
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