飞索半导体3月份之前开始试制45nm工艺NOR型闪存
2007-01-23 10:01:42
来源：半导体器件应用网
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美国飞索半导体（Spansion）将在2007年3月底之前开始试制45nm工艺NOR型闪存（英文发布资料）。该公司已宣布将在2008年中期开始量产45nm产品，不过并未公布在此之前的步骤。此次该公司公布了面向量产的一大步骤——使用300mm晶圆进行试制的计划。
试制将在位于美国加利福尼亚州的研发设施中进行。另外，该公司已宣布量产生产线是现在正在导入设备的新300mm生产线“SP1”.
已开始样品供货65nm产品
此次飞索半导体还同时宣布，已开始面向手机厂商供应65nm工艺制造的闪存产品。此次公布的是可与NAND型闪存兼容的用于数据保存用途的NOR型闪存“ORNAND”，采用了“MirrorBit”技术，容量为2bit/单元。该产品将于2007年7～9月在“Fab25”（美国得克萨斯州奥斯汀）及SP1开始量产。容量为512MB～2GB。
另外，该公司的日本法人——日本飞索半导体（Spansion Japan）表示，采用“MirrorBit Quad”技术的4bit/单元产品“如果顺利的话，将在2007年1～3月开始供应样品”。面向程序保存用途的NOR型闪存也将依次从90nm工艺过渡至65nm工艺。另外，美国英特尔已于2006年11月率先开始供应65nm产品。
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