意法半导体（ST）推出最新的DRAM内存模块标准专用温度传感器
2007-09-11 09:25:20
来源：半导体器件应用网
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单独使用的传感器和集成串行存在检测EEPROM的传感器瞄准DDR2和DDR3 DRAM内存模块市场，在现有的DIMM中实现温度监测，替换SPD EEPROM
高性能模拟器件和混合信号产品的主导厂商之一的意法半导体今天推出两款高精度专用数字温度传感器芯片，新产品完全符合个人计算机双列直插内存模块（DIMM）的温度监测标准JEDEC JC42.4的规定。
计算机等系统内的双速率DDR2和DDR3的数据传输速度比上一代标准更快，但是内存过热的风险也随之增加。温度传感器可以监视内存温度，为中央处理器调整数据流量和采取防过热措施提供依据，因此温度传感器在系统设计中变得更为重要。
STTS424是一个独立使用的数字温度传感器芯片，而STTS424E02则集成了温度传感器和一个2 Kbit的串行存在检测 (SPD) EEPROM。按照JEDEC的要求，该存储器安装在内存模块的边上，用于存储内存的时序参数和其它信息。两款产器都通过一个I2C/SMBus兼容串行总线与CPU芯片组通信，封装分别采用2 x 3mm DFN8和4.4 x 3mm TSSOP8 。
与竞争产品和JEDEC JC42.4标准相比，STTS424传感器将工作电流降低了50%。 集成式产品STTS424E02可以替代现有内存模块的2 Kbit SPD EEPROM存储器，而且增加了温度感应功能，因此，电路板重新设计成本极低，同时组件数量没有增加。为了便于设置温度，STTS424E02的温度传感器和EEPROM都有各自的唯一的I2C/SMBus总线地址。
这两款新的传感器芯片 – 意法半导体温度传感器产品家族中的专用产品 – 集成了一个模数转换器(ADC)，可以监测内存模块的工作温度，并将模拟信号转变成数字信号，最小温度分辨率0.25℃，测量精度达到±1℃，温度测量范围 +75℃到+95℃。该器件是出厂前校准的，温度测量无需外部组件。工作电源电压2.7V到3.6V，工作温度范围-40℃到+125℃。在3.3V电压下，典型电源电流100μA。
在出现下列情况之一时，开路漏极事件输出引脚激活：监测温度超过预设极限；或超过客户设置的报警窗口的上限或下限。这个引脚可以配置成恒温操作的比较器模式或中断模式。STTS424E02的2-Kbit串口EEPROM能够把数据永久锁存在第一个128字节内，供带有PSD芯片的DDR双列直插内存模块使用。
意法半导体现在开始接受生产订单，如果大批量订购，STTS424的价格是0.70美元，STTS424E02是0.85美元。
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