IDT 扩展用于高端手机的灵活、低功耗、异步双端口 SRAM 产品组合

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IDT 扩展用于高端手机的灵活、低功耗、异步双端口 SRAM 产品组合

2008-11-24 14:32:56 来源：大比特资讯

该器件可提供电源平面技术以降低设计复杂性和系统功耗

致力于丰富数字媒体体验、提供领先的混合信号半导体解决方案供应商 IDT® 公司（Integrated Device Technology， Inc.）推出用于高端手机的业界领先的灵活、低功耗、异步双端口新系列器件。作为处理器之间的桥接，新的 IDT 器件有利于手机设计人员最大限度降低设备复杂性，并通过增加的设计灵活性加快上市时间。此外，凭借增加的电源平面隔离功能，这些器件显著降低了总系统功耗。

    IDT 70P2X5 双端口可与应用处理器和基带处理器配合使用，充分利用地址-数据复用（address-data mux，ADM）接口。与其它方法相比，该 ADM 接口的输入/输出（I/O）管脚数比在其他高端手机中常见的标准异步双端口 SRAM的管脚数更少。IDT 双端口使用减少了 50% 的处理器 I/O 引脚，释放的引脚可支持需要的差异化功能。此外，IDT 双端口还部署了 8 个可控制和/或监控其它器件的动态可编程 I/O，帮助手机设计人员增加更多的差异化功能。

    IDT 低功耗双端口 SRAM 内置的独特电源平面隔离功能有利于手机实现真正的待机状态，同时使整个处理子系统处于待机模式，显著减低用电量，延长电池寿命。对于那些采用额外逻辑或复杂可编程逻辑器件（Complex Programmable Logic Devices – CPLD）实现复杂电源管理方法的客户，IDT 的低功耗双端口还可以通过省却这些额外元件，帮助降低设计复杂性。

    IDT 还推出了 70P2X9 双端口系列新器件。这些新一代产品与 IDT 之前的器件引脚向后兼容，无需重新设计即可实现增加的功能。为了帮助实现设计灵活性，该系列器件还在两个端口上内置了可选的 ADM/ 非ADM 操作、各种内核和 I/O 电源电压支持、256K 密度选项和电源平面隔离功能。

    IDT 通信部副总裁兼总经理 Fred Zust 表示：“高端手机消费需要高速下载及高质量回放功能，还要在不消耗太大电池功耗的前提下实现要求的速度和质量。我们发现基带和应用处理器间的接口是主要的性能瓶颈和电池消耗大户。很明显，需要新的互连架构来解决来这个问题，因此我们在该应用领域与领先的高端手机制造商和卓越的处理器元件供应商紧密合作，设计了这些双端口。”