Vishay 推出第五代肖特基二极管,确立业界新标准

2009-03-02 10:37:26 来源:大比特资讯
 
    采用次微米沟槽技术的新型器件采用 D-Pak 封装,具有达 +175 °C 最大结温、6 A 至 20 A额定电流范围、小于 0.54 V 的超低典型正向压降和低至 3 mA 的反向漏电流

    日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出四款第五代高性能 45 V 和 100V 肖特基二极管 --- 6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 。Vishay此次推出的器件将 D-Pak 的电流能力扩展至高达 20 A,从而确定了业界的新标准。这些器件采用次微米沟槽技术,适合用作高效率、高密度解决方案的独立封装,以及 D2-Pak 封装的低成本小型替代品。RBSOA 可实现紧凑、低成本设计。 

    6CWT04FN、10WT10FN、20CWT10FN 和 20WT04FN 具有达 +175°C 的最大结温、超低正向压降和低反向漏电流,确保设计人员可增加汽车、太阳能和其他高温应用中的功率密度。四款器件均可提供 I-Pak 版本。 

    日前发布的肖特基二极管在 6 A 和 20 A、+125°C 时最大典型正向压降低于 0.54 V(对于 45 V 器件),在 10 A 和 20 A 时最大典型正向压降低于 0.65 V(对于 100 V 器件)。45 V 二极管在 +125°C 时反向漏电流为 3 mA 和 7 mA,而100 V 二极管为 4 mA,且参数分布非常紧凑。这些器件提供优化的 VF 与 IR 权衡,可实现更高的系统效率。 

    这些二极管已为交流到直流次级整流、反激式、降压与升压转换器、半桥、电池反接保护、续流、直流到直流模块及太阳能光伏发电旁路二极管应用进行了优化。典型的最终产品包括高功率密度 SMPS;台式电脑适配器;服务器;消费性电子产品,如 PDP、LCD 及高效音频系统;及笔记本电脑、手机及便携式媒体播放器等移动电子产品。这些二极管符合针对汽车驱动和控制装置的 AEC-Q101 标准。 

    45 V 和 100 V 器件分别具有 57 V 和 118 V 的典型稳定高击穿电压,可适应电压峰值并优化功率密度,在这些二极管中,功率密度均增加了 25%。这些器件坚固耐用,其抗反向雪崩能力提高了 30%,雪崩时元件可获得完全屏蔽,且开关损耗极小。 

    器件规格表:
部件号
IF (AV) (A)
@ TC  (°C)
Vfm  @ 125 °C (Typ) (V)
反向漏电流
EAS    [mJ]
最大结温[°C]
封装
在 25°C 时的典型值 (uA)
125°C 时的典型值 (mA)
6CUT04
2x3 A
166 °C
在 3 A 时 0.485
1
0.5
28
175 °C
I-Pak
6CWT04FN
2x3 A
166 °C
在 3 A 时 0.485
1
0.5
28
175 °C
D-Pak
10UT10
1x10 A
159 °C
 在 5 A 时 0.53
1.5
1
54
175 °C
I-Pak
10WT10FN
1x10 A
159 °C
 在 5 A 时 0.53
1.5
1
54
175 °C
D-Pak
20CUT10
2x10 A
159 °C
在 10 A 时 0.615
1.5
1
108
175 °C
I-Pak
20CWT10FN
2x10 A
159 °C
在 10 A 时 0.615
1.5
1
108
175 °C
D-Pak
20UT04
1x20 A
153 °C
在 10 A 时 0.415
6
3
108
175 °C
I-Pak
20WT04FN
1x20 A
153 °C
在 10 A 时 0.415
6
3
108
175 °C
D-Pak

    目前,新型肖特基二极管可提供样品,并已实现量产,大宗订单的供货周期为 6 至 8 周。
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