IR推出增强型25V及30V MOSFET适用于负载点同步降压转换器应用
2009-05-15 10:48:32
来源：大比特资讯
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全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列新型 25V 及 30V N通道沟道 HEXFET 功率 MOSFET 。它们针对同步降压转换器和电池保护增强了转换性能，适用于消费和网络领域的计算应用。
新 MOSFET 系列采用了 IR 经过验证的硅技术，可提供基准通态电阻 (RDS(on)) ，并且提高了转换性能。新器件的低传导损耗改善了满载效率及热性能，即使在轻负载条件下，低转换损耗也有助于实现高效率。
IR 亚洲区销售副总裁潘大伟表示：“这些新型 MOSFET 采用 Power QFN 封装，可比 SO-8封装提供更高的功率密度，同时保持相同的引脚排列配置。新型双 SO-8 MOSFET 还可通过‘二合一’交换来减少元件数目，满足不同应用的要求。”
单双 N通道 MOSFET 现已开始供应。除了 D-PAK、I-PAK 和 SO-8 封装之外，单个 N通道器件也可在高量产时实现优化，采用 PQFN 5×6mm 和 3×3mm 封装，而双 N通道器件则采用 SO-8 封装。新器件符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) ，可以不含卤素。
产品的基本规格如下：
单个 N通道
|
器件编号 |
Bvdss
(V) |
封装 |
在10Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ) |
在4.5Vgs下的
最大RDS(on) (mΩ) |
在TC=25°C 下的Id (A) |
在TA =25°C 下的Id (A) |
典型Qg
(nC) |
|
IRL(R，U)8256(TR)PBF |
25 |
D-Pak/I-PAK |
5.7 |
8.5 |
81 |
N/A |
10 |
|
IRL(R，U)8259(TR)PBF |
25 |
D-Pak/I-PAK |
8.7 |
12.9 |
57 |
N/A |
6.8 |
|
IRF8252(TR)PBF |
25 |
SO-8 |
2.7 |
3.7 |
N/A |
25 |
35 |
|
IRL(R，U)8743(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
3.1 |
3.9 |
160 |
N/A |
39 |
|
IRL(R，U)8726(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
5.8 |
8.0 |
86 |
N/A |
15 |
|
IRL(R，U)8721(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
8.4 |
11.8 |
65 |
N/A |
8.5 |
|
IRL(R，U)8729(TR)PBF |
30 |
D-Pak/I-PAK |
8.9 |
11.9 |
58 |
N/A |
10 |
|
IRFH3702(TR，TR2)PBF |
30 |
PQFN 3 x 3 |
7.1 |
11.8 |
N/A |
16 |
9.6 |
|
IRFH3707(TR，TR2)PBF |
30 |
PQFN 3 x 3 |
12.4 |
17.9 |
N/A |
12 |
5.4 |
|
IRFH7932(TR，TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
3.3 |
3.9 |
N/A |
24 |
34 |
|
30 |
PQFN 5 x 6 |
3.5 |
5.1 |
N/A |
24 |
20 | |
|
IRFH7936(TR，TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
4.8 |
6.8 |
N/A |
20 |
17 |
|
IRFH7921(TR，TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
8.5 |
12.5 |
N/A |
15 |
9.3 |
|
IRFH7914(TR，TR2)PBF |
30 |
PQFN 5 x 6 |
8.7 |
13 |
N/A |
15 |
8.3 |
|
IRF8788(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
2.8 |
3.8 |
N/A |
24 |
44 |
|
IRF7862(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
3.7 |
4.5 |
N/A |
21 |
30 |
|
30 |
SO-8 |
3.5 |
5.1 |
N/A |
21 |
20 | |
|
IRF8736(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
4.8 |
6.8 |
N/A |
18 |
17 |
|
IRF8721(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
8.5 |
12.5 |
N/A |
14 |
8.3 |
|
IRF8714(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
8.7 |
13 |
N/A |
14 |
8.1 |
|
IRF8707(TR)PBF |
30 |
SO-8 |
11.9 |
17.5 |
N/A |
11 |
6.2 |
双 N通道
|
器件编号 |
封装 |
配置 |
Bvdss
(V) |
在10Vgs下 的
最大RDS(on) (mΩ) |
最大Vgs (V) |
典型Qg
(nC) |
|
IRF8313PBF |
SO-8 |
独立
对称 |
30 |
15.5 |
± 20 |
6.0 |
|
IRF8513PBF |
SO-8 |
半桥
非对称 |
30 |
12.7 |
± 20 |
7.6 |
|
15.5 |
5.7 |
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