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Littelfuse公司隆重宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。 这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅(SiC)MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
新型电力电子器件IGBT作为功率变换器的核心器件，其驱动和保护电路对变换器的可靠运行至关重要。集成驱动是一个具有完整功能的独立驱动板，具有安装方便、驱动高效、保护可靠等优点，是目前大、中功率IGBT驱动和保护的最佳方式。
前些年消费电子和工业控制是推动IGBT市场快速发展的两架马车，中小功率IGBT大放异彩。如今在新能源汽车、高铁、新能源等新兴应用的“提携”下，大功率IGBT迎来了新的春天，而这些应用带来新的课题，与之相应的是革新的永不止步。
目前，市场上IGBT驱动器整体工作温度范围相差无几，普遍集中在-40—85度之间。随着电力电子技术的发展，对于能够在更低或者更高温度下稳定工作的电子产品需求越来越明显，为了弥补IGBT驱动器这一方面空白，北京落木源电子近期推出双通道大功率驱动器TX-KE108，其工作温度范围是-55---125℃。
2013 年 3 月 19 日至 21 日慕尼黑上海电子展在上海新国际博览中心盛大召开，据悉，北京落木源电子携6大系列共60余种IGBT驱动器产品参展，受到各界同仁普遍关注。
茂矽电子与富鼎先进将合作开发电动车(EV)高功率绝缘闸双极型电晶体(Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT)元件。茂矽电子与富鼎先进联合申请的「绿能车用高功率IGBT元件技术开发计画」日前获经济部「业界科专计画」审议通过，未来茂矽电子、富鼎先进将与工研院电光所进一步合作，透过雷射煺火(Laser Anneal)製程开发适用于电动车的高功率IGBT，防堵中国大
目前国内IGBT的主要供应商为外国厂商，为支持我国企业技术突围，IGBT成为国家产业政策重点支持和扶植的重大科技项目。中国南车大功率IGBT产业化基地建设项目，总投资14亿元，预计2013年正式投产。建成后，该基地将具备年产12万片8英寸IGBT芯片和100万只大功率IGBT器件的能力，年产值超过25亿元，其产业规模和技术实力均达到国际领先水平。产品满足轨道交通以及电动汽车、风力发电、太阳能发电、
MOSFET及IGBT问世以来，电压控制型电力电子器件，特别是IGBT正经历一个飞速发展的过程。IGBT单模块器件的电压越做越高，电流越做越大。同时，与之配套的驱动器件也得到了迅速发展。随着器件应用领域越来越广，电源设备变换功率越来越大，电磁干扰也相应增强。为此必须提高控制板的抗干扰能力，提高驱动耐压等级。于是，光纤的使用也就成为了必然。
