Vishay发布六款新型80V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器
2010-02-22 10:25:31
来源：大比特半导体器件网
器件采用功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封装、具有10A～30A的电流额定范围，典型VF低至0.57V
日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封装，具有10A～30A的电流额定范围。
今天发布的器件包括单芯片的V(B，F，I)T1080S、V(B，F，I)T2080S、和V(B，F，I)T3080S，以及双芯片的V(B，F，I)T1080C、V(B，F，I)T2080C和V(B，F，I)T3080C。每款器件均提供功率TO-220AB、ITO-220AB、TO-262AA和TO-263AB封装。
凭借低至0.57V的极低前向电压降和优异的雪崩容量，在高频$电源$$适配器$、$开关电源$(SMPS)、桌面PC、服务器和$LCD$电视中，这些整流器能够减小续流二极管、AC-DC和DC-DC转换器的功率损耗并提高效率。
新款整流器的最大结温为150℃，符合RoHS指令2002/95/EC和WEEE 2002/96/EC。TO-263AB封装的潮湿敏感度等级为1，符合per J-STD-020规范，无铅最高峰值温度为245℃。TO-220AB、ITO-220AB和TO-262AA封装的最大浸锡温度为275℃，时间为10秒钟，符合per JESD 22-B106规范。
器件规格表:
新款TMBS整流器现可提供样品，并已实现量产，大宗订货的供货周期为八周。
本文为哔哥哔特资讯原创文章，未经允许和授权，不得转载，否则将严格追究法律责任；
暂无评论