Vishay发布节约器件占位空间和系统成本解决方案的视频教程
视频展示了组合封装的SiZ700DT TrenchFET®不对称功率MOSFET器件在DC/DC转换器中如何减少高边和低边功率MOSFET所占用的空间以及节约系统成本
宾夕法尼亚、MALVERN — 2010 年 6 月 12 日 — 日前， Vishay Intertechnology， Inc.宣布，为帮助客户了解在一个小尺寸器件内组合封装的高边和低边MOSFET如何节省DC-DC转换器的空间和成本，该公司在其网站(http://www.vishay.com)上新增了一个流媒体视频，展示SiZ700DT PowerPAIR®双芯片不对称功率MOSFET解决方案。
传统上，设计者要在笔记本电脑、VRM、电源模块、图形卡、服务器和游戏机，以及工业系统的DC-DC转换中实现系统电源、POL、低电流DC-DC和同步降压转换应用中所需的低导通电阻和高电流，就不得不使用两片分立MOSFET。
新视频展示了Vishay的SiZ700DT PowerPAIR方案如何通过将一个低边和高边MOSFET组合到小尺寸6mmx3.7mm的器件中，减少DC-DC转换器中电源架构所需的空间，增加转换器的功能，开发更小的终端产品，同时保持低导通电阻和最大电流。
SiZ700DT的低边MOSFET在10V下的导通电阻为5.8m，在+70℃下的最大电流为13.9A，高边MOSFET在10V下的导通电阻为8.6m，在+70℃下的最大电流为10.5A。这些指标使设计者能够使用一个器件完成设计，节约方案的成本和空间，包括在两个分立MOSFET之间的间隙和标注面积。
两个MOSFET已经在PowerPAIR封装内部进行连接，使得布局变得更加简洁，同时减少PCB印制线的寄生电感，提高效率。此外，SiZ700DT的输入引脚排列在一侧，输出引脚排列在另一侧，可进一步简化布局。
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