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目前骁龙835是高通最新的旗舰处理器，但是根据最新的消息显示，目前高通已经正在开发三款新一代的移动处理器。
美国布鲁克海文国家实验室的科研人员日前宣布实现了1nm工艺制造。
罗得岛州普罗维登斯市布朗大学的科研人员Rhode Island宣布已研发出中一种新工艺制造出钙钛矿混合薄膜太阳能电池。研究论文已刊登在上周的英国皇家化学学会(Royal Society of Chemistry)期刊上。
2013高通合作伙伴峰会在深圳举行。高通公司宣布其骁龙™200系列处理器新增六款双核及四核处理器，从而增强了高通入门级产品阵容。新增的骁龙200处理器采用28纳米制程工艺制造，支持HSPA+(数据传输速率最高达21Mbps)和TD-SCDMA。全新骁龙200系列处理器(8x10和8x12)及相应的参考设计(QRD)版本预期将于今年晚些时候面市。
美国高通技术公司将扩展骁龙™200系列处理器，新增六款双核及四核处理器，从而增强其入门级产品阵容。新增的骁龙200处理器采用28纳米制程工艺制造，集成对中国和其他新兴市场非常重要的关键调制解调器技术，包括支持HSPA+(数据传输速率最高达21Mbps)和TD-SCDMA。
2013年5月2日，德国纽必堡/德累斯顿与新加坡讯——英飞凌科技(FSE: IFX / OTC QX: IFNNY)与GLOBALFOUNDRIES 公司今日宣布，双方围绕40纳米(nm)嵌入式闪存(eFlash)工艺，签订一份合作技术开发与生产协议。双方合作的重点是立足于英飞凌的嵌入式闪存单元设计以及采用40纳米工艺制造汽车单片机和安全微控制器(MCU)的经验，进行相关技术的开发。GLOBALF
BCD半导体制造有限公司(简称BCD Semi)专注于电源管理积体电路产品的设计研发、工艺制造和销售。针对LED驱动电源的特殊要求，BCD公司推出了一系列高性价比、复盖中小功率应用的解决方案。
近年来，杭州士兰微电子股份有限公司依托自有的芯片生产线和持续的技术研发投入，在高压BCD工艺制造平台、高压高功率产品技术平台、电源和功率分立器件产品方面不断取得新的突破，公司已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一，整体生产经营规模处于国内集成电路行业的前列。为了感谢新老客户多年来的合作与支持，士兰微电子将于2012年3月31日(周六)上午在深圳马哥孛罗好日子酒店举办“2
CS7123还有SYNC同步信号和BLANK黑电平控制信号这两个附加的视频控制信号，CS7123也具有一个待电模式。CS7123采用5V CMOS工艺制造，单片CMOS结构确保了低功耗性能。CS7123的主要功能是将三路RGB信号转换为模拟RGB信号后输出到显示屏显示。另外，它也可以当作三路单独的DAC使用。
