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采用ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方体系，制备了氧化锌线性电阻。通过改变氧化锌瓷料粉末的煅烧条件以及瓷体的烧结温度，详细研究氧化锌陶瓷线性电阻的温度系数和电阻率变化规律。实验数据显示，氧化锌煅烧温度为1000 ℃，瓷体烧结温度为1240 ℃时，电阻片的电阻率为1165 Ω·cm。
11月18-21日，第十届国际第三代半导体论坛（IFWS2024）&第二十一届中国国际半导体照明论坛（SSLCHINA2024）、先进半导体技术应用创新展（CASTAS）将在苏州国际博览中心举办。半导体材料学家，中国科学院院士杨德仁将出席论坛，并将带来“半导体材料产业的现状和挑战”的大会报告。
在技术更新推动下，半导体行业在材料、设计、制造和封装等领域不断推陈出新，以满足AI和高性能计算的需求。 本周新品速览：涵盖MCU、系统级芯片、控制算法平台等半导体重点领域。
中科重仪半导体科技有限公司（简称“中科重仪”）作为第三代半导体氮化镓（GaN）材料生产与技术应用的国家级高新技术企业，将携多款MOCVD设备及氮化镓外延片产品亮相此次展会。
随着市场的需求增长，提升电机的效率、降低能耗成为电机行业的共同目标。我们该如何破局技术要点，助力电机产业更快速发展?这场会议，你想了解的都有!
未来的功率半导体市场，谁能最快把新材料技术做到“平民化”，谁就可能在这场激烈的竞争中脱颖而出。
在科学探索的前沿，电化学感知是一种不可或缺且适应性强的工具，影响着各行各业。从生命科学、环境科学到工业材料和食品加工，量化化学物质的能力可以对事物拥有更深入的了解，进而提高安全性、效率和认知。
在ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷材料中掺入适量B4C，成功在840 ℃温度下烧结成致密陶瓷。实验研究发现，B4C的助烧作用归因于B4C在烧结升温过程中分解，生成了氧化硼，而氧化硼是良好的烧结助剂。B4C在500℃以下化学性质稳定，添加B4C作为硼源可以避免添加氧化硼、硼酸等硼源对压敏陶瓷材料制备过程的不利影响。
碳化硅（SiC）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，具有宽禁带的特性，从而导致其有高击穿电场强度等材料特性。SiC功率器件具有耐高压、体积小、功耗低、耐高温等优势。SiC器件适用于高压、高频应用场景。
今年，国际第三代半导体论坛与中国国际半导体照明论坛于11月18-21日在苏州国际博览中心举办，同台汇力，相映生辉，放眼LED+和先进电子材料更广阔的未来。
