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LED照明技术及解决方案研发与制造厂商Bridgelux近日宣布，利用独家缓冲层技术，成功在8寸硅晶圆生成无裂痕氮化镓层，并且不会在室温下弯曲变形，除了刷新先前在业界创下“氮化镓上硅技术”(GaN-on-Si)最高每瓦流明纪录外，同时也进一步提升硅基板氮化镓LED效能与可制造性的领先幅度。
日前，美国伦斯勒理工学院研究人员发现，在LED的蓝宝石衬底和氮化镓层的交界处进行纳米级蚀刻，使LED产生绿光，可极大改进光提取、内部效率和发光量等方面。
伦斯勒理工学院的研究人员发明了一种能大大提高绿色LED发光量的制造方法：在LED的蓝宝石衬底和氮化镓层的交界处进行纳米级蚀刻，使LED产生绿光，并且在光提取，内部效率和发光量方面得到极大改进。
NCSU的电子电气工程教授 Salah Bedair 和材料学教授Nadia El-Masry 有意在氮化镓层和蓝宝石衬底的界面上引进了一项空穴，结果他们发现，原先固有的材料缺陷被那些空穴给吸收掉了，从而提高了氮化镓层的纯度。
