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本文研究氮气气氛下不同烧结温度对氧化性压敏电阻直流三参数的影响，确定低温烧结铜浆可以保证较小的漏电流和高ɑ系数。
表征MOV特性的是压敏电压、漏电流和非线性系数三参数，性能稳定性则以动态负载试验结果显示。三参数互有影响，其中电压一致性最为重要。瓷体晶粒串联电阻制约电压一致性。MOV的质量有等级之分，性能稳定性则随质量等级而变化。
针对电流在压敏电阻体微观结构中的分布进行试验研究。对压敏电阻器芯片施以冲击电流，会在垂直方向上引起压敏参数发生变化且变化小于冲击方向，压敏电压呈对称变化，漏电流增加、非线性指数下降。
采用传统固相法制备稀土氧化物Gd2O3掺杂的ZnO压敏陶瓷。采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和压敏电阻直流参数仪对样品的物相、显微组织及电性能进行分析。结果表明：随着Gd2O3掺杂量的增加，ZnO压敏陶瓷电位梯度单调递增，非线性系数先增加后减小，而漏电流呈现先减小后增大的变化趋势。
本文主要从介绍了肖特基二极管的四大特性，分别是：肖特基二极管的正向导通压降与导通电流成正比，肖特基二极管在75℃时要降额使用，肖特基二极管的反向电压越大，漏电流就会越大等。
为了提高光伏并网逆变器的效率，本文以无变压器式的光伏并网逆变器为研究对象，研究其产生漏电流的原因，改进逆变器原有的拓扑结构，提出了一种新型的单相双Buck逆变器方案
宾夕法尼亚、MALVERN — 2013 年 8 月15 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，发布用于便携式电子产品的采用超小尺寸CLP0603封装的新款双向对称(BiSy)单线ESD保护二极管---VBUS05A1-SD0。它的尺寸只有0.6mm x 0.3mm，高度为0.27mm，并具有低电容和低泄漏电流，可保护高速数据线免
介绍新的650V场截止沟道IGBT并评估了其性能。新的IGBT比上一代IGBT提供更好的DC和AC特性、更长的短路耐受时间以及更低的漏电流。经过所有这些改进，新场截止沟道IGBT可实现高效和可靠的逆变器系统。
