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本文针对压敏电阻组合波测试时施加不同的AC工频电压，对脉冲造成的AC电流波形畸变进行了观察，并对畸变转移电荷量进行了计算。
本文开展了单一/多重雷电流作用下氧化锌压敏电阻片劣化特性的研究，获得了雷击作用下氧化锌压敏电阻片劣化特性的演变规律，分析了氧化锌压敏电阻片的雷电流耐受能力与雷电流作用模式及其参数之间的关联，为氧化锌压敏电阻片雷击试验方法的规范化和耐受机理研究的深入研究奠定一定的基础。
本文采用在线测试方法，研究了ZnO压敏电阻在经受8/20μs波脉冲电流作用后特性参数的瞬时变化与恢复过程。
压敏电阻电击穿是失效模式之一，其后果严重。为防止此类事故，将其制成带脱扣的SPD。为防止SPD万一不可脱扣，又串接SPD后备保护器(SCB)。本文探讨了串接后的试验状况。
高能贴片压敏电阻是电路保护家族的一类新成员，虽然从电路保护的机理上，跟插脚的压敏电阻相同，但是因为生产制造工艺的差异化，造就了高能贴片压敏电阻不同于传统插脚压敏电阻的独特的应用场景，本文就高能贴片压敏电阻在跟随新技术和新应用发展趋势方面，做了有益的探索。
本文针对工业生产中出现的同批次ZnO压敏电阻片泄漏电流波动较大问题进行了研究，对泄漏电流异常和正常的ZnO电阻片样品进行了不同温度的短时热处理，发现短时热处理促进了ZnO陶瓷中的α-Bi2O3相和β-Bi2O3相转变为导氧能力更强的δ-Bi2O3相，促进了晶粒中的氧向晶界处扩散。
SiC非线性灭磁电阻在发电机组的灭磁过程中发挥着重要作用，对其性能特征、技术规范、以及参数选择作了表述。
针对传统环氧粉末包封料在防潮性方面存在的性能局限，提出了一种基于有机硅改性环氧树脂包封材料设计方案。本研究为新一代高性能压敏电阻元件封装材料的设计与开发提供了有效思路。
中国上海，2026年4月21日——全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）今日宣布，开发出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，该产品非常适用于xEV（电动汽车）用牵引逆变器*等汽车电动动力总成系统以及AI服务器电源和数据中心等工业设备的电源。
压敏电阻器在消费电子，汽车电子，工业控制，其他新兴领域具有广阔的市场机会。
