砷化镓(Gallium Arsenide)是一种化合物,化学式为 GaAs。它是一种重要的半导体材料,具有高电子迁移率、高载流子浓度、低噪声等优点,被广泛应用于光电子器件、微电子器件、无线通信、卫星通信等领域。 砷化镓的制备方法主要有两种:一种是直接合成法,即在高温下将砷和镓的单质直接反应合成;另一种是外延生长法,即在单晶衬底上通过外延生长的方式制备砷化镓薄膜。 砷化镓材料的应用非常广泛,例如: 光电子器件:砷化镓被广泛应用于制作发光二极管(LED)、激光器、探测器等光电子器件。 微电子器件:
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海川智能发布收购计划,拟入股南京集溢半导体科技有限公司(简称“南京集溢”),正式转型磷化铟赛道。大庆溢泰系南京集溢的全资子公司,是生产经营主体,其主营业务产品包括砷化镓 (GaAs)、磷化铟 (InP)、锗 (Ge)、锑化镓 (GaSb) 及原材料金属镓,
现在,斯坦福的研究人员发明了一种制造工艺,可以大大降低了制造砷化镓器件的成本,从而为砷化镓电子设备开开辟了新的用途,尤其是太阳能电池板。
RFaxis, Inc日前宣布,该公司的单刀三掷(SP3T)开关RFX333已投入量产。这款开关专为用于智能型手机、平板计算机等行动装置的2.4GHz Wi-Fi/Bluetooth组合芯片而最佳化。RFX333采用业界最具成本效益优势的bulk CMOS技术研发和生产,可与当前市场上采用的使用昂贵的砷化镓(GaAs)或绝缘硅片(SOI)制程的现行解决方案实现引脚兼容。
飞思卡尔计划通过全新的氮化镓(GaN) RF功率晶体管产品、经过验证的400多个LDMOS RF功率晶体管和砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)产品支持广泛的A&D应用。
近日,德克萨斯州奥斯汀讯-射频功率市场的领导者飞思卡尔半导体 (NYSE: FSL) 日前推出一种先进的砷化镓 (GaAs) 单片微波集成电路 (MMIC) 控制电路,专门用于优化飞思卡尔 Airfast Doherty 放大器的性能。
上述电池中,尽管硫化镉薄膜电池的效率较非晶硅薄膜太阳能电池效率高,成本较单晶硅电池低,并且也易于大规模生产,但由于镉有剧毒,会对环境造成严重的污染,因此,并不是晶体硅太阳能电池最理想的替代。砷化镓III-V化合物及铜铟硒薄膜电池由于具有较高的转换效率受到人们的普遍重视。
为了降低太阳能发电系统的价格,增加太阳光强是一个好的解决办法,要想增大光强需要用凸透镜或者菲尼尔透镜或者反光板把光汇聚起来;这样就能大大降低硅与砷化镓的使用量,从而降低太阳能发电系统的价格。
太阳能发电系统的价格一直居高不下!主要原因是因为太阳能的密度低!太阳照射到地面上的平均光强为1千瓦/平米;单晶硅的转化率可以达到23%,多晶可以达到16%,薄膜只能可以达到8%。转换效率最高的砷化镓电池片能到35%以上,但是用砷化镓制造的太阳能发电系统整体转换效率只有25%左右。
高能效意味着电池片表面积更小而产生的电量却更多。阿尔塔设备公司(Alta Devices)正在彻底改变太阳能技术的使用方式,公司宣布其新一代砷化镓太阳能电池技术能效达到30.8%,创造世界新纪录。