氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。
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PI近日宣布推出1700V氮化镓(GaN)开关IC,这一技术突破有哪些亮点?它将如何影响高压氮化镓市场?
本周,英飞凌、圣邦微以及PI等多家半导体厂商发布最新产品进展,涵盖车载充电模块、氮化镓开关IC、车规级降压转换器、三相半桥驱动芯片多个领域。
Power Integrations推出InnoMux™-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。
美国加利福尼亚州圣何塞,2024年11月4日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日推出InnoMux™-2系列单级、独立调整多路输出离线式电源IC的新成员。新器件采用公司专有的PowiGaN™技术制造而成,是业界首款1700V氮化镓开关IC。
采用纳微专利的DPAK-4L封装的高度集成氮化镓功率芯片,具有智能化电磁干扰(EMI)控制和无损电流感测功能,助力打造业界最快、最小、最高效的解决方案。
中科重仪半导体科技有限公司(简称“中科重仪”)作为第三代半导体氮化镓(GaN)材料生产与技术应用的国家级高新技术企业,将携多款MOCVD设备及氮化镓外延片产品亮相此次展会。
凭借这一突破性的300mm GaN技术,英飞凌将推动GaN市场快速增长。利用现有的大规模300mm硅制造设施,英飞凌将最大化GaN生产的资本效率。300mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平。
当今的大型家用电器市场与能源效率和“能源之星”认证等相关品牌推广息息相关。消费者期望这类终端设备(如冰箱或暖通空调(HVAC)系统)具备出色的能效和产品可靠性。在本文中,我们将探讨氮化镓(GaN)和无刷直流(BLDC)电机系统的结合如何帮助提高消费者的生活水平。
2024年6月15日下午,国内领先的氮化镓IDM企业——能华半导体,在东莞松山湖高新技术产业开发区沁园路的凯悦酒店成功举办了一场盛大的技术研讨会和客户答谢宴。
美国加利福尼亚州圣何塞,2024年5月7日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今天宣布达成协议,收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies(OTCQB场外交易代码:ODII)的资产。