氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。
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2024年6月15日下午,国内领先的氮化镓IDM企业——能华半导体,在东莞松山湖高新技术产业开发区沁园路的凯悦酒店成功举办了一场盛大的技术研讨会和客户答谢宴。
美国加利福尼亚州圣何塞,2024年5月7日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今天宣布达成协议,收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies(OTCQB场外交易代码:ODII)的资产。
随着技术的迅速发展,人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展,太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样,为了实现更快的数据处理、大数据存储以及人工智能 (AI),服务器的需求也在呈指数级增长。
相较于传统的两级架构,这款新GaN电源IC采用750V PowiGaN™氮化镓开关管、零电压开关(无需有源钳位)和同步整流技术,且无需使用单独的DC-DC变换级,可精简PCB元件数目,效率提升实现高达10%。
英飞凌近日完成了对氮化镓系统公司(GaN Systems)的收购,8.3亿美元的收购价格是2022年氮化镓市场总值的近5倍。到底是什么原因让英飞凌如此大手笔?
ECCE 2023,田纳西州纳什维尔 - 2023年10月30日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。
氮化镓技术,通常称为 GaN,是一种宽带隙半导体材料,越来越多地用于高电压应用。这些应用需要具有更大功率密度、更高能效、更高开关频率、更出色热管理和更小尺寸的电源。除了数据中心,这些应用还包括 HVAC 系统、通信电源、光伏逆变器和笔记本电脑充电电源。
2023年3月20日讯,深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations宣布推出900V氮化镓(GaN)器件,为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。
业界普遍认为,氧化镓有望替代碳化硅和氮化镓,成为第四代半导体材料代表。
Power Integrations正式推出使用有源钳位的数字可编程反激式氮化镓开关IC,是适用广泛、高效,而且尺寸极小的产品系列。