氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumped solid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。
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采用纳微专利的DPAK-4L封装的高度集成氮化镓功率芯片,具有智能化电磁干扰(EMI)控制和无损电流感测功能,助力打造业界最快、最小、最高效的解决方案。
中科重仪半导体科技有限公司(简称“中科重仪”)作为第三代半导体氮化镓(GaN)材料生产与技术应用的国家级高新技术企业,将携多款MOCVD设备及氮化镓外延片产品亮相此次展会。
凭借这一突破性的300mm GaN技术,英飞凌将推动GaN市场快速增长。利用现有的大规模300mm硅制造设施,英飞凌将最大化GaN生产的资本效率。300mm GaN的成本将逐渐与硅的成本持平。
当今的大型家用电器市场与能源效率和“能源之星”认证等相关品牌推广息息相关。消费者期望这类终端设备(如冰箱或暖通空调(HVAC)系统)具备出色的能效和产品可靠性。在本文中,我们将探讨氮化镓(GaN)和无刷直流(BLDC)电机系统的结合如何帮助提高消费者的生活水平。
2024年6月15日下午,国内领先的氮化镓IDM企业——能华半导体,在东莞松山湖高新技术产业开发区沁园路的凯悦酒店成功举办了一场盛大的技术研讨会和客户答谢宴。
美国加利福尼亚州圣何塞,2024年5月7日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今天宣布达成协议,收购垂直氮化镓(GaN)晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies(OTCQB场外交易代码:ODII)的资产。
随着技术的迅速发展,人们对电源的需求亦在不断攀升。为了可持续地推动这一发展,太阳能等可再生能源被越来越多地用于电网供电。同样,为了实现更快的数据处理、大数据存储以及人工智能 (AI),服务器的需求也在呈指数级增长。
相较于传统的两级架构,这款新GaN电源IC采用750V PowiGaN™氮化镓开关管、零电压开关(无需有源钳位)和同步整流技术,且无需使用单独的DC-DC变换级,可精简PCB元件数目,效率提升实现高达10%。
英飞凌近日完成了对氮化镓系统公司(GaN Systems)的收购,8.3亿美元的收购价格是2022年氮化镓市场总值的近5倍。到底是什么原因让英飞凌如此大手笔?
ECCE 2023,田纳西州纳什维尔 - 2023年10月30日讯 – 深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations(纳斯达克股票代号:POWI)今日发布全球额定耐压最高的单管氮化镓(GaN)电源IC。