氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙（direct bandgap）的半导体，自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿，硬度很高。氮化镓的能隙很宽，为3.4电子伏特，可以用在高功率、高速的光电元件中，例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管，可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器（Diode-pumped solid-state laser）的条件下，产生紫光（405nm）激光。
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2023年3月20日讯,深耕于高压集成电路高能效功率变换领域的知名公司Power Integrations宣布推出900V氮化镓(GaN)器件，为InnoSwitch3™系列反激式开关IC再添新品。
业界普遍认为，氧化镓有望替代碳化硅和氮化镓，成为第四代半导体材料代表。
Power Integrations正式推出使用有源钳位的数字可编程反激式氮化镓开关IC，是适用广泛、高效，而且尺寸极小的产品系列。
氮化镓 (GaN) 是电力电子行业的热门话题，因为它可以使得 80Plus 钛电源、3.8kW/L 电动汽车 (EV) 车载充电器和 EV 充电站等设计得以实现。在许多应用中， GaN 能够提高功率密度和效率，因此它取代了传统的硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)。
鉴于氮化镓 (GaN) 场效应晶体管 (FET) 能够提高效率并缩小电源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投资这项技术之前，您可能仍然会好奇GaN是否具有可靠性。令我惊讶的是，没有人询问硅是否具有可靠性。毕竟仍然有新的硅产品不断问世，电源设计人员对硅功率器件的可靠性也很关心。
近日，珠海镓未来科技有限公司披露其已完成近亿元A+轮融资，由顺为资本、高瓴创投、盈富泰克联合投资，深启投资担任独家财务顾问。至今，这家专注于高端第三代半导体氮化镓功率器件研发、生产、营销和系统应用的综合解决方案提供商，成立一年半已累计融资过2亿。本轮融资将主要用于氮化镓功率芯片新产品
镓未来携多款氮化镓功率器件亮相智能照明研讨会。
TI领先的功率密度、全新架构与高度集成帮助工程师解决企业服务器的设计难题，降低总所有成本。 2021年9月23日，北京讯——德州仪器（TI）（纳斯达克代码TXN）今宣布其氮化镓（GaN）技术和 C2000™ 实时微控制器（MCU），辅以台达（Delta Electronics）长期耕耘之电
宽禁带半导体典型代表氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)，第三代半导体相对于传统一、二代半导体其优点更为突出，如禁带宽度大、击穿电场强度强、高化学稳定性、高热导率、抗辐射好等优点，有望成为支撑众多行业发展的重要新材料。
近年来，电力电子领域最重要的发展是所谓的宽禁带（WBG）材料的兴起，即碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。WBG材料的特性有望实现更小、更快、更高效的电力电子产品。
