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宜普电源转换公司(EPC)宣布推出内含增强型氮化镓场场效应晶体管的EPC9005开发板，展示最新推出、专为驱动氮化镓场效应晶体管而优化的集成电路栅极驱动器可帮助工程师简单地及以低成本从硅器件转而采用氮化镓技术。
碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司(Nasdaq: CREE)日前宣布推出第二代碳化硅MOSFET器件。相对于同等成本的基于硅器件的系统，科锐新型碳化硅MOSFET器件可实现更高的系统效率及更小的系统尺寸。
全球领先的硅产品知识产权(SIP)平台解决方案和数字信号处理器(DSP)内核授权厂商CEVA公司宣布将在美国消费电子展 (CES 2013) 上展示一系列瞄准移动、数字家庭和汽车市场的平台IP产品，包括首个采用CEVA-XC323 DSP的基于硅器件的Wi-Fi 802.11ac 和卫星导航(GNSS)实施方案。
与传统硅器件相比，eGaN FET最大允许的栅极至源极电压是较低的。其次，其栅极阈值与大多数功率MOSFET相比也是较低的，但它受负温度系数的影响没那么大。第三，“体二极管”正向压降要比同等的硅MOSFET高1V。
全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier，简称IR) 推出一系列25 V及30 V器件，采用了IR最新的HEXFET MOSFET硅器件和新款高性能PQFN 3 x 3封装，为电信、网络通信和高端台式机及笔记本电脑应用的DC-DC转换器提供了高密度、可靠和高效率的解决方案。
SiGe半导体推出最新功率放大器有效地降低WLAN和 ISM频带应用的功耗 SiGe 半导体公司 (SiGe Semiconductor) 宣布推出专为2.4GHz ISM (industrial， scientific， medical， ISM)频带应用而设计的功率放大器 (power amplifier， PA) 产品SE2597L。这款高集成度的硅器件是 SiGe 半导体享誉业内的分立式2
