碳化硅功率器件是一种新型的功率器件,它使用碳化硅(SiC)材料制造。与传统的硅(Si)功率器件相比,碳化硅功率器件具有更高的耐压性、更低的导通电阻和更高的工作频率,因此可以提高电力转换效率、减少能量损失、降低系统成本,广泛应用于新能源汽车、光伏、风电、高铁、智能电网等领域。 碳化硅功率器件的主要类型包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET 和碳化硅 IGBT 等。其中,碳化硅二极管主要用于功率因数校正、电池充电和电机驱动等领域;碳化硅 MOSFET 和碳化硅 IGBT 则主要用于高压直流输电、电动汽车充电桩
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电动汽车以“绿色出行”概念闻名,环保低碳生活的观念使得我们重新开始了解新能源汽车的存在价值与意义,作为新能源车的核心器件,碳化硅功率器件的应用需求高涨,现今,基本半导体SiC功率器件准备就绪,目标是它——新能源汽车领域。
三菱电机的功率半导体产品,早已稳站全世界第一,因此,下一个目标是成为绝对第一,亦即要拉开与第二位的距离。具体来说,就是到2015年时,全球销售收入达到1,900亿日元的目标。从2010年到2011年间,公司在生产上,已投入了300亿日元,扩大全球销售及客户网络;加强研发,开发第七代IGBT和碳化硅功率器件,提高实用性;我们前年收购了Vincotech,将彼此的产品进行一个相加效应,在绿色能源方面发
功率模组通常将MOSFET和二极管等一系列分立功率开关器件封装在一个独立的集成封装内,可应用于三相工业电源、通讯电源系统以及太阳能和风能系统中功率逆变器等高压电力电子应用领域。在传统MOSFET封装技术中,长引线中的寄生电感会限制碳化硅MOSFET的转换性能。通过使用科锐替代型裸芯片,电路设计人员能够充分利用碳化硅技术转换性能的优势,有效地降低封装中寄生电感的影响。
碳化硅 (SiC) 功率器件市场领先者科锐公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出一新型产品系列。该系列产品由七款1200V Z-Rec? 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。
该系列产品由七款1200V Z-Rec™ 碳化硅 (SiC) 肖特基二极管组成,不仅优化了价格和性能,还可提供多种额定电流和封装选择。通过推出种类齐全的碳化硅二极管产品系列,科锐不断将碳化硅功率器件向主流功率应用中推广。
碳化硅功率器件领域的市场领先者 Cree 公司 (Nasdaq: CREE) 日前宣布推出最新Z-Rec™650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列,以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS 二极管的阻断电压为 650V,能够满足近期数据中心电源架构修改的要求。据行业咨询专家估算,这样可以将能效提高多达 5% 。由于数据中心的耗电量几乎占全球年耗电量的 10%,任何水平的能效