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本文旨在研究在不同煅烧温度下Zn7Sb2O12尖晶石陶瓷的结构和电性能, 采用化学共沉淀法合成了尖晶石Zn7Sb2O12陶瓷粉体，并将陶瓷坯体在1000℃、1100℃和1200℃的空气中煅烧2小时。通过X光衍射（XRD）、电流-电压（E-J）测量和阻抗分析仪研究了Zn7Sb2O12陶瓷材料的结构和电学特性。
采用ZnO+MgO+Al2O3+SiO2配方体系，制备了氧化锌线性电阻。通过改变氧化锌瓷料粉末的煅烧条件以及瓷体的烧结温度，详细研究氧化锌陶瓷线性电阻的温度系数和电阻率变化规律。实验数据显示，氧化锌煅烧温度为1000 ℃，瓷体烧结温度为1240 ℃时，电阻片的电阻率为1165 Ω·cm。
在ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷材料中掺入适量B4C，成功在840 ℃温度下烧结成致密陶瓷。实验研究发现，B4C的助烧作用归因于B4C在烧结升温过程中分解，生成了氧化硼，而氧化硼是良好的烧结助剂。B4C在500℃以下化学性质稳定，添加B4C作为硼源可以避免添加氧化硼、硼酸等硼源对压敏陶瓷材料制备过程的不利影响。
陶瓷的工业应用出现于19世纪未，在20世纪中后期，随着科学技术快速发展对新型陶瓷材料的应用需求不断扩大而获得了非常迅速的发展。
我公司开发出了在实际使用时，比传统的陶瓷材料能获得更高静电容量的陶瓷电容器，本文将对其特性进行介绍，并介绍以LED球泡灯为主的其他电子设备的电源推荐使用电路。
本文研究了 Sb2O3、TiO2、Co3O4、Cr2O3、Ni2O3 和 MnO 掺杂对 SnO2 压敏陶瓷材料微观结构和电性能的影响。实验发现，TiO2 和 Co3O4 是促进 SnO2 陶瓷致密化烧结的有效添加剂，根据 XRD 图谱分析发现，Co3O4 与 SnO2 反应形成了 Co2SnO4 晶相，而 TiO2 则固溶于 SnO2 晶相；Sb 元素的引入能够促进 SnO2 晶粒的半导化；复合
流延膜片由流延浆料经过流延、干燥后得到，流延膜片性能的好坏关键取决于浆料。本文着重介绍了陶瓷材料水基流延各种添加剂的选择原则并指出了一些常用水基流延添加剂。
TDK-EPC是TDK集团公司的子公司，推出了新型卓越系列爱普科斯表面贴装PTC热敏电阻，用于限温测量。产品的外壳尺寸有0805、 0603 和 0402三种型号。与标准系列相比，此元件采用了更具同质性的陶瓷材料，因而可靠性佳，并可在280 ℃时进行回流焊和波峰焊操作。
